패키징
Packaging

다이를 보호하고 바깥과 연결하는 포장 단계. 미세화가 느려지면서 성능을 끌어올리는 새 무대가 됐다.
다이 상태의 칩은 외부 충격과 습기, 전기적 잡음에 그대로 노출되고 회로 기판에 바로 연결할 수도 없기 때문에, 이를 감싸 보호하면서 외부와의 신호·전력 통로를 만들어주는 단계가 필요하다. 기판이나 인터포저 위에 다이를 얹고 와이어본딩이나 범프 접합으로 전기적 연결을 만든 뒤 봉지재로 덮어 방열과 보호를 동시에 해결하는 방식으로 이뤄지며, 여러 다이를 나란히 배치하거나 층층이 쌓아 하나의 패키지 안에서 연결하는 방식으로도 발전해 왔다. 미세화로 성능을 끌어올리기 어려워진 부분을 이 배치와 연결 방식을 바꿔 보완하는 흐름이 있어, 파운드리 공정 자체만큼이나 패키징 방식이 성능 지표에서 중요하게 다뤄진다. 반도체 제품의 스펙을 설명할 때 패키지 형태가 별도 항목으로 표기되거나, 파운드리와 구분되는 후공정 전문 업체가 언급될 때, 또는 여러 다이를 쌓아 만든 메모리·연산 칩을 소개할 때 이 개념을 자주 마주치게 된다. 흔히 패키징을 완성된 다이를 단순히 포장만 하는 부수적 단계로 오해하기 쉽지만, 실제로는 신호 손실과 발열, 데이터 전송 대역폭을 좌우하는 설계 요소로서 다뤄진다.
패키징 분야의 다른 용어
CoWoS고급해설
Chip on Wafer on Substrate인터포저 위에 로직과 HBM 을 나란히 얹는 첨단 패키징 방식. AI 가속기 공급의 실제 병목으로 자주 지목된다.
FC-BGA중급해설
Flip Chip Ball Grid Array다이를 뒤집어 붙이고 아래쪽 볼로 기판과 잇는 패키지 방식. 고성능 칩용 기판 공급이 병목이 되는 구간이다.
TSV중급해설
Through-Silicon Via실리콘을 관통해 위아래 다이를 잇는 수직 배선. HBM 적층의 기본 기술이다.
인터포저고급해설
Interposer다이들을 촘촘히 잇기 위해 그 아래 까는 중간 기판. 실리콘으로 만들면 배선 밀도를 크게 올릴 수 있다.
패키지 기판중급해설
Package Substrate패키지 안에서 다이와 메인보드를 잇는 기판. 층수와 미세 배선 난이도가 높아 증설에 시간이 걸린다.
하이브리드 본딩고급해설
Hybrid Bonding범프 없이 구리 패드를 직접 붙여 다이를 잇는 방식. 간격을 줄여 대역폭과 두께를 함께 개선한다.
후공정입문해설
Back-end / Assembly완성된 웨이퍼를 자르고 포장하고 검사하는 단계. HBM 과 첨단 패키징이 뜨면서 위상이 크게 올라갔다.