패키지 기판
Package Substrate

패키지 안에서 다이와 메인보드를 잇는 기판. 층수와 미세 배선 난이도가 높아 증설에 시간이 걸린다.
다이의 입출력 단자는 촘촘한데 메인보드는 그 정도의 미세 배선을 구현할 수 없어서, 둘 사이의 배선 밀도를 단계적으로 낮춰주는 중간 매개체가 필요하다. 패키지 기판은 내부에 여러 층의 미세 배선과 비아를 쌓아 다이 쪽의 촘촘한 범프 패턴을 바깥쪽의 성긴 볼 그리드로 재배치하고, 전원·접지 평면과 디커플링 커패시터가 들어설 공간도 함께 마련한다. 다이 여러 개나 HBM을 한 패키지에 올리는 첨단 패키징을 설계할 때 이 기판의 층수와 배선 미세도가 전체 설계를 제약하는 병목으로 지목되는 경우가 흔하고, 공급 부족 이슈가 불거질 때도 반도체 자체가 아니라 이 기판 쪽 생산능력이 원인으로 거론되곤 한다. 흔히 일반 인쇄회로기판(PCB)의 확장판 정도로 여기지만, 유기 소재를 쓰더라도 반도체급 정밀도의 미세 회로 형성 공정을 거쳐야 해서 제조 난이도와 수율 관리 방식이 일반 PCB와는 크게 다르다.
패키징 분야의 다른 용어
CoWoS고급해설
Chip on Wafer on Substrate인터포저 위에 로직과 HBM 을 나란히 얹는 첨단 패키징 방식. AI 가속기 공급의 실제 병목으로 자주 지목된다.
FC-BGA중급해설
Flip Chip Ball Grid Array다이를 뒤집어 붙이고 아래쪽 볼로 기판과 잇는 패키지 방식. 고성능 칩용 기판 공급이 병목이 되는 구간이다.
TSV중급해설
Through-Silicon Via실리콘을 관통해 위아래 다이를 잇는 수직 배선. HBM 적층의 기본 기술이다.
인터포저고급해설
Interposer다이들을 촘촘히 잇기 위해 그 아래 까는 중간 기판. 실리콘으로 만들면 배선 밀도를 크게 올릴 수 있다.
패키징입문해설
Packaging다이를 보호하고 바깥과 연결하는 포장 단계. 미세화가 느려지면서 성능을 끌어올리는 새 무대가 됐다.
하이브리드 본딩고급해설
Hybrid Bonding범프 없이 구리 패드를 직접 붙여 다이를 잇는 방식. 간격을 줄여 대역폭과 두께를 함께 개선한다.
후공정입문해설
Back-end / Assembly완성된 웨이퍼를 자르고 포장하고 검사하는 단계. HBM 과 첨단 패키징이 뜨면서 위상이 크게 올라갔다.