탄소 절연막, TSMC와 구리 배선 신뢰성 검증 추진

싱가포르국립대(NUS) 연구진이 두께 0.8~2.7nm에서도 유전상수 1.35를 유지하는 비정질 탄소 절연막을 개발해 구리 이온 확산을 막고 강한 전계를 견뎠으며, TSMC와 장기 신뢰성 및 공정 호환성 검증을 계획하고 있다고 밝혔다. 교토대 연구진은 하부 게이트 구조와 웰 기반 절연을 적용해 600°C에서 동작하는 SiC 상보형 JFET를 개발했으며, 누설전류를 SiC의 이론적 한계에 근접한 수준까지 낮췄다. KAIST와 UNIST 공동 연구진은 SiN/SiO2/SiN 다층 유전체 구조로 산화물 수직채널트랜지스터의 결함을 줄이고 전류밀도와 데이터 유지시간을 개선해 컴퓨트인메모리 소자 응용 가능성을 제시했다.
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