삼성·인텔·버클리, 게인셀 eDRAM용 나노기계 스위치 발표

UC버클리, 삼성전자, 인텔 연구진이 '나노전기기계적으로 게이트되는 게인셀 eDRAM'이라는 제목의 공동 논문을 발표했다. 연구진은 메모리 월 문제와 SRAM 스케일링 둔화로 게인셀 임베디드 DRAM(eDRAM)에 대한 관심이 다시 높아지고 있다고 설명했다. 게인셀은 고밀도와 에너지 효율 면에서 장점이 있지만 짧은 데이터 유지시간, 기생 결합, 승압 쓰기 전압 필요성 등의 한계가 있다고 밝혔다. 이를 해결하기 위해 나노전기기계적으로 게이트되는 새로운 게인셀 구조를 제안했으며, 해당 논문은 IEEE Journal on Exploratory Solid-State Computational Devices and Circuits 2026년 10월호에 게재됐다.

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