유창식 교수, 커스텀 D램 급증에 팹리스·파운드리 등장 예고

유창식 성균관대 교수는 10월 15일 서울 코엑스에서 열린 반도체 산학연 교류 워크숍에서 AI 시스템용 D램 기술을 주제로 발표했다. 그는 연산장치 성능 발전 속도에 비해 메모리 용량 개선이 뒤처지는 '메모리 월' 현상과, 셀 간격 축소로 인한 로우해머 문제 및 이를 막기 위한 온다이 ECC 등 회로 추가로 발생하는 면적 손실을 D램 미세화의 한계로 지적했다. 그는 수직 구조 트랜지스터 위에 커패시터를 쌓는 4F² D램이나 셀을 다층으로 적층하는 구조, 셀과 주변회로를 별도 웨이퍼에서 제작해 결합하는 웨이퍼 투 웨이퍼 본딩 공정이 도입될 것으로 전망했다. 또한 고객 맞춤형 커스텀 D램 수요가 커지면서 메이저 D램 업체가 모든 수요를 감당하기 어려워질 것이라며, 커스텀 설계를 전문으로 하는 'D램 팹리스'와 위탁생산을 맡는 'D램 파운드리' 비즈니스가 새롭게 등장할 것이라고 예상했다.

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