CXMT, 4F² DDR5 RDIMM 연내 출시 — 차세대 DRAM 셀 구조

CXMT 사장 차오칸위는 Yicai 보도를 통해 연내 첫 4F² 제품으로 서버용 DDR5 RDIMM을 출시할 계획이라고 밝혔다. 이 제품은 수직 트랜지스터를 적용해 셀 면적을 기존 6F² 대비 이론상 약 3분의 1 줄인 구조이며, 구체적인 속도나 용량은 공개되지 않았다. 차오 사장은 통합칩앤칩렛콘퍼런스에서 이같이 말했으며, CXMT가 수직 게이트(VSG) 트랜지스터 기술과 관련해 300개 이상의 특허 패밀리를 보유하고 있다고 설명했다. 보도에 따르면 업계 전반이 웨이퍼 레벨 하이브리드 본딩을 결합한 3D 방식의 4F² 기술로 이동하고 있으며, 삼성전자와 SK하이닉스도 각각 유사한 수직 채널 기반 4F² 설계를 공개한 바 있다.

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