삼성 파운드리 · 양산
SF3 (3GAP) 공정
SF3E 의 성능 개선판. 외부 고객용 본격 공정으로 잡혀 있다.
사양
회사가 공표한 값만 적습니다. 비어 있는 칸은 확인되지 않았다는 뜻입니다.
| 파운드리 | 삼성 파운드리 |
|---|---|
| 마케팅 세대 | 3nm 급 |
| 트랜지스터 구조 | GAA(MBCFET) |
| 노광 방식 | EUV 0.33NA |
| 후면전력공급 | 미적용 |
| 트랜지스터 밀도 | — |
| 리스크 생산 | — |
| 양산 시점 | 2024년 |
| 상태 | 양산 |
밀도가 비어 있는 이유. 회사마다 세는 기준이 달라 공표하지 않는 경우가 많고, 업계에 도는 값은 대개 추정치입니다. 추정치를 채우면 비교표처럼 보이지만 실제로는 비교가 되지 않습니다.
삼성 파운드리 세대 순서
왼쪽이 오래된 세대입니다. 지금 보고 있는 노드에 테두리가 있습니다.