"로드맵"
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퀄컴 6G, 에이전틱 AI 인프라로 상용 로드맵 가동
퀄컴이 미국 마우이에서 열린 스냅드래곤 서밋 2026에서 6G 상용화 제품 로드맵을 공개했다. 두르가 말라디 퀄컴 기술 기획과 엣지 솔루션·데이터센터 총괄 부사장은 22일(현지시간) 한국 기자단과 만나 퀄컴이 6G 비전 제시 단계를 지나 고성능 연산(HPC) 제품군 내 실제 상용 제품 로드맵을 계획·가동하는 단계로 진전했다고 밝혔다. 그는 이전에 공언한 대로 3년 내 6G 상용화를 달성할 계획이라고 설명했다. 6G는 에이전틱 AI 생태계 구축을 위한 주요 인프라로 활용될 예정이다.
삼성전자, D0a D램에 B1b 하이브리드 본딩 도입 — HBM5 적용도 검토
삼성전자가 차세대 D램 로드맵을 수정해 웨이퍼투웨이퍼(W2W) 하이브리드 본딩 기술인 'B1b'를 첫 10나노 미만 D램 'D0a'로 편입했다. 기존 D0a로 불리던 수직트랜지스터(VCT) D램은 'D0a-V'라는 별도 명칭으로 분리됐다. B1b는 메모리 셀과 페리 회로를 각각 다른 웨이퍼에서 제조한 뒤 구리 배선을 직접 연결하는 방식으로, CMOS 이미지센서와 고적층 낸드에 이미 적용된 기술이다. 삼성전자는 B1b를 차세대 HBM5(8세대)에도 적용하는 방안을 검토 중이며, B1b 기반 D0a D램의 상용화는 빨라야 2년 후로 추산된다.
화웨이 960PR, FP4 성능 2배로 로드맵 앞당겨
화웨이는 화웨이 커넥트 행사에서 AI 가속기(NPU) 로드맵을 발표했다. 기존 SIMD 구조에서 SIMD+SIMT 구조로 전환 중이며, 첫 세대인 어센드 950PR·950DT에 이어 어센드 960DT는 2027년 1분기, 960PR은 2027년 3분기 출시로 각각 기존 계획보다 앞당겨졌다. 960PR의 FP4 연산 성능은 기존 발표 대비 2배로 상향됐다. UnifiedBus 기반의 Peerium 아키텍처도 새로 소개됐고, 2028년 어센드 970, 2029년 어센드 980 사양도 함께 공개됐다. 화웨이는 자사 생산능력이 중국 내 수요를 충족하기에는 부족하다고 밝혔다.
SK하이닉스, 용수 재이용 확대 — 2030년까지 6억톤 감축 로드맵
SK하이닉스는 지난해 국내 사업장에서 하루 평균 17만 톤의 용수 사용을 절감했다고 10일 밝혔다. 대구 엑스코에서 열린 '대한민국 국제물주간 2026'에 참가해 2030년까지 누적 6억 톤을 절감하는 로드맵을 공개했다. 2018년부터 가동한 '용·폐수 절감 태스크포스'를 통해 지난해까지 누적 절감량 3억337만 톤을 달성해 당초 목표인 2억6400만 톤을 넘어섰다. 이천사업장은 폐수 재이용 시설로 하루 9만4400톤 규모의 재이용수를 대기오염 방지시설 등에 활용하고 있으며, 청주사업장은 2023년부터 반도체 업계 최초로 외부 하수처리 재이용수를 산업용수로 사용하고 있다.
삼성전자 큐브 전략, HBM5·zNAND-O 수직 적층 로드맵
삼성전자가 메모리와 연산장치를 수직으로 쌓아 동일 면적에서 용량을 늘리고 데이터 이동 거리를 줄이는 3D 적층 전략을 공개했다. HBM5에 이어 zHBM, zNAND-O를 독자 개발한다는 계획이다. 최장석 삼성전자 DS부문 메모리사업부 상품기획팀장(상무)은 9월 1일 대만 타이베이에서 열린 '세미콘 타이완 2026' 메모리 이그제큐티브 서밋 기조연설에서 '큐브(CUBE)' 전략을 발표했다. 이 전략은 용량(Capacity), 최적화(Utilization), 대역폭(Bandwidth) 등을 축으로 한다.
삼성 HBM 로드맵, 4nm 로직 베이스다이로 컴퓨팅 결합
삼성전자는 Hot Chips 2026에서 HBM을 메모리와 컴퓨팅이 결합된 시스템으로 발전시키는 3단계 로드맵을 공개했다. 삼성 D램 설계팀의 상욱 한(Sangwook Han)은 HBM4부터 베이스다이를 4nm 로직 공정으로 제작한 것이 로드맵의 핵심 동력이라고 설명했다. 1단계 cHBM은 PHY를 소형 다이투다이(D2D) 링크로 대체하고 메모리 컨트롤러를 베이스다이로 옮겨 XPU 면적을 확보한다. 2단계 aHBM은 베이스다이에 온도·전압 센서, LPDDR·HBM 기반 메모리 확장, 연산소자(PE)를 추가한다. 3단계 zHBM은 인터포저 없이 프로세서를 D램 스택 바로 아래에 배치하는 완전 3D 구조로, 삼성은 이를 기존 HBM 구조 최적화를 넘어선 재설계라고 밝혔다.
삼성전자 CUBE 전략 발표, HBM 이어 zNAND-O 로드맵 공개
삼성전자 최장석 상무가 세미콘 타이완 2026 기조연설에서 수직 적층 메모리 기술 비전인 'CUBE' 전략을 발표했다. 용량, 최적화, 대역폭, 전력·열 효율 향상을 통해 PCB 면적 제약 없이 메모리 용량을 늘리고 다이 간 거리 단축으로 대역폭을 개선하겠다는 구상이다. 삼성전자는 HBM2부터 HBM4E, HBM5까지 세대별 기술을 고도화해왔으며, zHBM과 zNAND-O 등 신규 제품 개발도 진행 중이라고 밝혔다. zNAND-O는 2028년 샘플링을 시작할 계획이다.