"imec"
뉴스
IMECAS, EUV 없이 3nm급 GAA 구동 — 세부 스펙은 비공개
중국과학원 산하 IMECAS가 EUV 없이 이머전 DUV 리소그래피만으로 적층형 나노시트 게이트올어라운드(GAA) 트랜지스터를 만드는 실험적 공정을 개발해 동작하는 소자를 시연했다고 디지타임스가 보도했다. 국가 주요 특별프로젝트 02의 예톈춘 수석엔지니어는 베이징 IC 월드 콘퍼런스에서 IMECAS가 '초기 공정 통합'을 완료했다고 밝혔다. 시제품 소자의 Ion/Ioff 비율은 각각 9.7×10⁵과 7.6×10⁵로, 게이트 제어가 이뤄졌음을 보여주는 기준치인 5×10⁵를 넘었다. 다만 게이트 피치, 금속 피치, 나노시트 치수, 트랜지스터 밀도, SRAM 밀도 등 다른 3nm급 공정과 비교할 수 있는 세부 수치는 공개되지 않았다. IMECAS는 2020년부터 3nm 이하 노드를 겨냥한 GAA 기술을 개발해왔다고 밝혔다.
imec, TMD 기반 MOS 전하 분석 — 2D 채널 소재 결함 측정법 제시
imec, KU Leuven, ASM 연구진이 전이금속 디칼코게나이드(TMD) 기반 금속-산화물-반도체(MOS) 구조의 전하 성분을 분석한 논문을 발표했다. 연구팀은 다중 주파수·다중 온도 조건의 커패시턴스-전압/컨덕턴스-전압(C-V/G-V) 스캔과 계면 트랩 밀도 프로파일 매핑을 홀 측정과 결합해, 완전 공핍된 소수층 TMD 기반 MOS 소자에서 계면 트랩, 산화막 경계 트랩, 이동 캐리어 등의 가변 전하 성분을 정량화했다. 해당 논문은 학술지 npj 2D Materials and Applications에 2026년 9월 게재됐다.
imec CFET, 정렬 정밀도로 mCFET이 sCFET보다 먼저 상용화
imec은 A7 노드 이후 4.5트랙 이하 표준셀을 가능케 하는 CFET(complementary FET) 트랜지스터 구조 개발 현황을 소개했다. 이번 자료에서는 후면 컨택 모듈과, 나노시트·CFET 소자에서 다중 문턱전압을 구현하는 게이트 스택 집적 모듈 두 가지를 다뤘다. CFET은 p형·n형 트랜지스터를 수직으로 적층하는 구조로, 단일 공정으로 처리하는 모놀리식(mCFET)과 상하부를 별도로 패터닝하는 순차적(sCFET) 방식이 함께 연구되고 있다. imec은 정렬 정밀도 이슈로 인해 mCFET이 산업 적용에 더 빠르게 도달할 것으로 보고 있으며, 관련 연구는 유럽 NanoIC 파일럿 라인에서 진행 중이다.
