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소자 · 고급

후면전력공급

Backside Power Delivery

해설 1분 읽기작성 → 자기 검증 2단계를 거쳐 코드 게이트를 통과했습니다

전원 배선을 웨이퍼 뒷면으로 옮기는 기법. 앞면을 신호 배선에 더 쓸 수 있어 전압 강하와 혼잡을 함께 줄인다.

트랜지스터가 미세화될수록 신호선과 전원선이 앞면의 한정된 배선층을 두고 경쟁하게 되는데, 전원선은 저항을 낮추려 굵게 그어야 해서 배선 자원을 많이 잡아먹고 회로 말단까지 가는 동안 전압 강하도 커진다. 이를 풀기 위해 웨이퍼를 뒤집어 얇게 갈아낸 뒤 트랜지스터 아래까지 닿는 전용 비아를 뚫고, 전원 배선망 전체를 뒷면으로 옮겨 앞면은 신호 배선만 남긴다. 파운드리의 표준셀 라이브러리 개편 문서나 배치·배선(P&R) 툴에서 전원망 규칙을 앞면·뒷면으로 나눠 지정할 때, 그리고 셀이 뒷면과 직접 맞닿는 전원 접촉 구조를 설명할 때 이 용어를 마주치게 된다. 흔히 오해하는 지점은 '후면'이라는 말 때문에 신호까지 뒷면으로 옮긴다고 생각하는 것인데, 실제로는 전원만 이동하고 신호 경로는 그대로 앞면에 남는다. 또한 웨이퍼를 극도로 얇게 가공하고 앞뒤를 정밀하게 정렬해야 하므로, 도입 자체가 별도의 공정 검증을 요구하는 난도 높은 변경이라는 점도 함께 기억해둘 만하다.

소자 분야의 다른 용어

용어집 전체

CFET고급해설

Complementary FET

n형과 p형 트랜지스터를 위아래로 겹쳐 쌓는 구조. GAA 다음 세대로 연구되고 있다.

CMOS중급해설

CMOS

p형과 n형 트랜지스터를 짝지어 쓰는 회로 방식. 대기 상태에서 전력을 거의 안 써서 디지털 칩의 기본 구조가 됐다.

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Gate-All-Around

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GaN중급해설

Gallium Nitride

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Nanosheet

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전력반도체입문해설

Power Semiconductor

전력을 변환·제어하는 반도체. 미세 공정 경쟁과 무관하게 소재와 신뢰성이 경쟁력을 가르는 영역이다.

트랜지스터입문해설

Transistor

전류를 켜고 끄는 스위치. 반도체 칩은 결국 이 스위치를 아주 많이, 아주 작게 모아 놓은 것이다.

핀펫중급해설

FinFET

채널을 지느러미처럼 세워 게이트가 세 면을 감싸게 만든 구조. 평면 구조의 누설전류 한계를 넘기 위해 도입됐다.