용어집

현장에서 마주치는 말

정의에 수치를 넣지 않았습니다. 수치는 낡고, 낡은 수치는 정의를 통째로 틀리게 만듭니다. 최신 값이 필요하면 가격표와 공정 노드 표로 보냅니다.

11개 용어 · 7개 분야해설 11개 (작성 → 자기 검증 2단계)

용어11개

해설 있음11개게이트 통과분

분야7개

난이도3단계입문 · 중급 · 고급

소자

n형과 p형 트랜지스터를 위아래로 겹쳐 쌓는 구조. GAA 다음 세대로 연구되고 있다.

p형과 n형 트랜지스터를 짝지어 쓰는 회로 방식. 대기 상태에서 전력을 거의 안 써서 디지털 칩의 기본 구조가 됐다.

게이트가 채널을 네 면 모두 감싸는 구조. 핀펫보다 전류 통제가 좋아 2nm 급 세대의 표준으로 넘어가고 있다.

고주파·고효율에 강한 화합물 반도체. 충전기와 통신용 전력증폭기 쪽에서 자리를 넓혔다.

실리콘보다 높은 전압·온도를 견디는 화합물 반도체. 전기차 인버터처럼 전력 손실이 곧 주행거리인 곳에서 쓰인다.

얇은 판 모양 채널을 여러 장 쌓아 만든 GAA 구현. 판의 폭을 조절해 성능과 전력을 설계 단계에서 조율할 수 있다.

꺼져 있어야 할 때도 새어 흐르는 전류. 미세화의 실질적 한계를 만드는 원인이고 구조 변경의 이유가 된다.

전력을 변환·제어하는 반도체. 미세 공정 경쟁과 무관하게 소재와 신뢰성이 경쟁력을 가르는 영역이다.

전류를 켜고 끄는 스위치. 반도체 칩은 결국 이 스위치를 아주 많이, 아주 작게 모아 놓은 것이다.

채널을 지느러미처럼 세워 게이트가 세 면을 감싸게 만든 구조. 평면 구조의 누설전류 한계를 넘기 위해 도입됐다.

전원 배선을 웨이퍼 뒷면으로 옮기는 기법. 앞면을 신호 배선에 더 쓸 수 있어 전압 강하와 혼잡을 함께 줄인다.

해설 배지가 붙은 용어에는 4~6문장의 설명이 있습니다. 해설은 작성 후 자기 검증 단계를 거쳐 코드 게이트를 통과해야 게시됩니다. 아직 해설이 없는 용어도 한 줄 정의만으로 쓸모가 있어 먼저 열어 두었습니다.