GAA

게이트가 채널을 네 면 모두 감싸는 구조. 핀펫보다 전류 통제가 좋아 2nm 급 세대의 표준으로 넘어가고 있다.

핀펫은 게이트가 핀의 세 면만 감싸기 때문에, 채널 길이가 짧아질수록 게이트가 채널 가운데까지 전압을 제대로 통제하지 못해 누설전류가 늘어나는 문제가 생긴다. GAA는 채널을 얇은 나노시트나 나노와이어 형태로 만들고 그 둘레 전체를 게이트로 둘러싸, 채널 어디서든 게이트와의 거리가 균일하게 짧아지도록 만든 구조다. 구동전류를 확보하기 위해 나노시트를 여러 장 수직으로 쌓고 그 사이사이를 게이트 물질로 채우는 방식이 흔히 쓰이며, 시트의 폭을 조절해 동일 공정에서도 소자별로 성능과 전력 특성을 다르게 설계할 수 있다는 점이 핀펫과 다른 활용 포인트다. 설계 스펙 문서나 파운드리 PDK에서 트랜지스터 구조를 명시할 때, 또는 로직 공정 세대 전환을 논의하는 자리에서 핀펫 다음 단계로 이 구조가 언급되는 경우가 많다. 다만 GAA는 하나의 고정된 구조를 가리키는 말이 아니라 나노시트, 나노와이어, 리본형 등 채널 단면 형태가 다른 여러 변형을 포괄하는 개념이며, 채널을 완전히 감싸는 만큼 배선 및 식각 공정 난도도 함께 올라간다는 점을 함께 알아둘 필요가 있다.