전력반도체
Power Semiconductor

전력을 변환·제어하는 반도체. 미세 공정 경쟁과 무관하게 소재와 신뢰성이 경쟁력을 가르는 영역이다.
전자기기마다 필요한 전압과 전류의 형태가 다르고, 배터리나 상용 전원에서 들어오는 전력은 그대로 쓸 수 없는 경우가 많아 이를 승압·강압하거나 직류와 교류를 서로 바꾸는 변환 장치가 필요한데, 이 변환의 핵심 부품이 전력반도체다. 동작 방식은 논리 반도체처럼 신호를 계산하는 것이 아니라 스위치처럼 켜짐과 꺼짐을 빠르게 반복하며 전류를 통과시키거나 막는 것이고, 이때 소자가 얼마나 높은 전압을 견디는지, 켜졌을 때 저항이 얼마나 낮은지, 스위칭 과정에서 열이 얼마나 발생하는지가 성능을 가른다. 현장에서는 전기차의 인버터와 충전기, 태양광·풍력 발전의 전력변환장치, 데이터센터 전원공급장치, 가전제품 어댑터 설계나 부품 선정 회의에서 이 용어를 자주 마주치게 된다. 흔히 로직 반도체처럼 공정을 미세화하면 성능이 좋아질 거라 생각하기 쉽지만, 전력반도체는 오히려 실리콘을 탄화규소나 질화갈륨 같은 화합물 소재로 바꾸는 쪽이 손실과 발열을 줄이는 데 더 결정적이며, 이 때문에 회로 설계 능력만큼이나 소재 선택과 패키징, 장기 신뢰성 확보가 제품 경쟁력을 좌우한다.
소자 분야의 다른 용어
CFET고급해설
Complementary FETn형과 p형 트랜지스터를 위아래로 겹쳐 쌓는 구조. GAA 다음 세대로 연구되고 있다.
CMOS중급해설
CMOSp형과 n형 트랜지스터를 짝지어 쓰는 회로 방식. 대기 상태에서 전력을 거의 안 써서 디지털 칩의 기본 구조가 됐다.
GAA중급해설
Gate-All-Around게이트가 채널을 네 면 모두 감싸는 구조. 핀펫보다 전류 통제가 좋아 2nm 급 세대의 표준으로 넘어가고 있다.
GaN중급해설
Gallium Nitride고주파·고효율에 강한 화합물 반도체. 충전기와 통신용 전력증폭기 쪽에서 자리를 넓혔다.
SiC중급해설
Silicon Carbide실리콘보다 높은 전압·온도를 견디는 화합물 반도체. 전기차 인버터처럼 전력 손실이 곧 주행거리인 곳에서 쓰인다.
나노시트고급해설
Nanosheet얇은 판 모양 채널을 여러 장 쌓아 만든 GAA 구현. 판의 폭을 조절해 성능과 전력을 설계 단계에서 조율할 수 있다.
누설전류중급해설
Leakage Current꺼져 있어야 할 때도 새어 흐르는 전류. 미세화의 실질적 한계를 만드는 원인이고 구조 변경의 이유가 된다.
트랜지스터입문해설
Transistor전류를 켜고 끄는 스위치. 반도체 칩은 결국 이 스위치를 아주 많이, 아주 작게 모아 놓은 것이다.
핀펫중급해설
FinFET채널을 지느러미처럼 세워 게이트가 세 면을 감싸게 만든 구조. 평면 구조의 누설전류 한계를 넘기 위해 도입됐다.
후면전력공급고급해설
Backside Power Delivery전원 배선을 웨이퍼 뒷면으로 옮기는 기법. 앞면을 신호 배선에 더 쓸 수 있어 전압 강하와 혼잡을 함께 줄인다.