SiC

실리콘보다 높은 전압·온도를 견디는 화합물 반도체. 전기차 인버터처럼 전력 손실이 곧 주행거리인 곳에서 쓰인다.

실리콘 소자는 내압을 높이려면 드리프트층을 두껍고 저농도로 만들어야 해서 도통 저항과 발열이 함께 커지는데, 이는 인버터 크기와 냉각 부담을 늘려 결국 배터리 용량과 주행거리를 갉아먹는 문제로 이어진다. SiC는 밴드갭이 넓어 같은 내압에서도 절연 파괴 전계가 높아, 드리프트층을 얇고 도핑 농도를 높게 설계할 수 있고 그만큼 온저항이 낮아지며 스위칭 속도도 빨라져 스위칭 손실까지 줄어든다. 그래서 트랙션 인버터, 온보드 차저, 급속 충전 모듈, 태양광·산업용 전력 변환기의 설계 검토 자리에서 실리콘 IGBT 대비 손실·발열·부피를 비교할 때 이 용어가 등장하고, 웨이퍼의 마이크로파이프나 적층 결함, 게이트 산화막 신뢰성을 논의할 때도 함께 나온다. 다만 SiC가 모든 상황에서 실리콘보다 유리한 것은 아니어서, 저전압·저전력 응용에서는 웨이퍼 원가와 공정 성숙도 차이 때문에 실리콘이 여전히 선택되는 경우가 많다는 점을 놓치기 쉽다.