사파이어 표면 개질로, 2인치 단결정 WS2·MoS2 웨이퍼 성장

베이징대와 중국과학원 등 공동 연구진이 상용 사파이어 기판을 W/Mo, Al 등 동종 금속 원소로 표면 개질하는 방법을 제시한 논문을 Nature Communications에 발표했다. 이를 통해 2인치 규모의 단결정 단층 WS2 또는 MoS2 웨이퍼를 성장시켰다고 밝혔다. 해당 연구는 오픈액세스로 공개됐다.
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이 글은 원문을 요약한 큐레이션입니다. 제목은 요약에 맞춰 새로 붙였습니다. 수치와 단위는 원문 표기를 유지했습니다. 전체 내용은 원 매체에서 읽어 주세요.원문: Semiconductor Engineering 「Sapphire Surface Modification Enables Wafer-Scale 2D Semiconductor Growth (Peking U., CAS et al.)」
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