삼성전자, 3D 구조로 HBM5 2배·zHBM 8배 성능 승부

삼성전자가 차세대 HBM인 HBM5 성능을 HBM4E 대비 2배로, 이후 세대 zHBM은 HBM4E보다 8배 높이겠다는 전략을 공개했다. 3차원(3D) 구조 혁신을 앞세워 차세대 메모리 주도권을 확보하겠다는 구상이다. 최장석 삼성전자 DS부문 메모리사업부 상품기획팀장(상무)이 9월 1일 대만 타이베이에서 열린 '세미콘 타이완 2026' 메모리 이그제큐티브 서밋 기조연설에서 이 같은 내용을 밝혔다.
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