시놉시스 S-Litho 예측, IBM 하이-NA EUV 실리콘서 검증

시놉시스는 2021년 S-Litho 시뮬레이션으로 22nm 피치 하이-NA EUV 공정에서 수평선과 수직선의 라인엣지러프니스(LER) 차이를 약 0.3nm로 예측했다고 밝혔다. IBM이 2025년 국제 EUV 리소그래피 콘퍼런스와 2026년 Optical and EUV Nanolithography XXXIX에서 발표한 21nm 실리콘 결과는 수직선 LER 1.6nm, 수평선 LER 1.3nm로 나타나 예측된 0.3nm 차이와 일치했다. 저NA EUV에서는 수평선이 더 열악했던 경험 때문에 당시 업계와 장비업체들은 이 예측에 회의적이었으나, 하이-NA EUV에서는 배율 효과가 셰도잉 효과를 압도한다는 S-Litho의 분석이 맞아떨어졌다. 시놉시스는 이 결과가 하이-NA용 Proteus OPC 솔루션 검증에도 활용됐다고 설명했다.
이 글에 나온 것
이 글은 원문을 요약한 큐레이션입니다. 제목은 요약에 맞춰 새로 붙였습니다. 수치와 단위는 원문 표기를 유지했습니다. 전체 내용은 원 매체에서 읽어 주세요.원문: Semiconductor Engineering 「Predicting Silicon Behavior Years Before Test Wafers」
Semiconductor Engineering 원문 보기 ↗