CXMT, G5 공정 5세대 D램 양산 — 24Gb LPDDR5X로 용량 50% 확대

중국 CXMT가 5세대 D램 공정 G5를 적용해 24Gb LPDDR5X 제품 양산을 시작했다. G5는 쿼드러플 패터닝 리소그래피로 활성영역 하프피치를 11.95nm까지 줄였으며, 이는 다른 업체의 10나노급 D램과 유사한 수준이지만 통상적인 공정 노드 명칭과 직접 비교하기는 어렵다. 또한 HKMG 공정으로 코어 셀 어레이 높이를 6,762nm로 낮추고, 저장 커패시터의 종횡비를 약 45대1까지 확보했다고 밝혔다. 새로 양산된 24Gb LPDDR5X는 기존 대비 50% 늘어난 용량을 제공하며 두 가지 패키지 형태로 중국 플래그십 스마트폰에 탑재되고 있다. CXMT는 G5가 G4 대비 웨이퍼당 다이 수를 50% 늘렸다고 주장했지만 구체적 수치와 수율은 공개하지 않았다.

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