3D IC 열 감옥, 냉각 기술이 양산 물꼬

반도체 업계가 평면 집적도 한계를 넘기 위해 3D IC(수직 적층) 도입을 추진하는 가운데, 최대 걸림돌이었던 발열 문제를 해결할 냉각 솔루션이 발전하고 있다. 삼성전자 파운드리에는 3D IC 구현 관련 고객 문의가 늘고 있으며, 코아시아세미는 로직 SoC 위에 D램을 수직 적층하는 3D IC 패키지 제품 양산에 돌입했다. 칩을 쌓을수록 내부 다이의 열이 빠져나가지 못하는 '열 감옥' 현상이 발생해 메모리 리프레시 주기 단축 등 성능 저하로 이어질 수 있다. 전덕호 프라임마스코리아 대표는 평면 미세화 한계로 적층 필요성이 먼저 커졌고, 이를 구현할 냉각 기술이 뒤따라 발전하면서 3D 상용화 물꼬가 트였다고 설명했다.
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이 글은 원문을 요약한 큐레이션입니다. 제목은 요약에 맞춰 새로 붙였습니다. 수치와 단위는 원문 표기를 유지했습니다. 전체 내용은 원 매체에서 읽어 주세요.원문: ZDNet Korea 「'열 감옥' 족쇄 3D 반도체…냉각 솔루션이 양산 물꼬 트나」
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