폴란드 메모리 제조사 Goodram이 자사 폴란드 공장에서 시행하는 DRAM과 SSD 품질 검증 절차를 공개했다. 해당 공장은 섭씨 80도에서 진행하는 번인(burn-in) 테스트를 포함해 400개가 넘는 진단 플랫폼을 운용하고 있다. 여기에 고도화된 환경 검증 절차까지 더해 제품 신뢰성을 확인하고 있다고 밝혔다.
이 글은 원문을 요약한 큐레이션입니다. 제목은 요약에 맞춰 새로 붙였습니다. 수치와 단위는 원문 표기를 유지했습니다. 전체 내용은 원 매체에서 읽어 주세요.원문: EE Times 「How Goodram Validates DRAM and SSD Reliability in Europe」
EE Times 원문 보기 ↗
마이크론 최고기술책임자(CTO) 스콧 디보어는 20년간 연구해온 4F² D램 셀 구조를 채택하지 않기로 했다고 밝혔다. 그는 D램 비트 밀도를 좌우하는 것은 트랜지스터 면적(4F² 대 6F²)이 아니라 커패시터 피치와 크기라며, 4F² 구조는 제조 복잡성과 비용만 늘린다고 설명했다. 대신 마이크론은 기존 6F² 구조를 유지하면서 커패시터 피치 축소, 첨단 리소그래피, 웨이퍼 본딩 등으로 D램 스케일링을 이어가고, 차세대 1δ 공정을 2027년 하반기 양산할 계획이라고 밝혔다. 장기적으로는 셀을 수직으로 쌓는 3D D램을 궁극적인 대안으로 제시했다. 삼성전자와 SK하이닉스는 TechInsights에 따르면 여전히 4F² D램을 로드맵에 두고 있다.
중국 메모리 업체 창신메모리(CXMT)가 연말까지 '4F스퀘어(4F²)' 구조를 적용한 차세대 서버용 D램 제품을 출시한다고 밝혔다. 4F²는 현재 D램 제조의 핵심 구조인 '6F²'보다 메모리 집적도를 높일 수 있는 기술이다. 삼성전자와 SK하이닉스도 4F² 상용화를 추진하고 있으나 CXMT가 먼저 상용화 계획을 발표했다. 이 소식이 전해진 다음 날 코스피에서 삼성전자 주가가 하락했다.
마이크론 테크놀로지가 차세대 D램 미세화의 핵심으로 꼽히던 4F²(4F 스퀘어) 셀 구조 도입을 공식 포기했다고 밝혔다. 마이크론은 10월 21일(현지시간) 기술 웨비나에서 기존 6F² 구조를 연장하는 대신 웨이퍼 본딩과 3차원(3D) 적층 기술로 이어지는 향후 10년간의 메모리 개발 로드맵을 공개했다. 이는 4F² 구조 도입을 추진해온 경쟁사들과는 다른 기술 경로를 택한 것이다. 전자신문이 단독 보도했다.
로이터에 따르면 삼성전자는 중국 시안 공장을 연말까지 286단 낸드플래시 생산 체제로 전환할 계획이며, 현재 이 공장은 약 200단 제품을 생산하고 삼성 전체 생산량의 약 40%를 차지한다. SK하이닉스는 다롄 공장에서 현재 192단 제품을 240단 이상으로 끌어올리는 것을 목표로 하고 있다. 두 회사는 CXMT, YMTC 등 중국 메모리 업체의 성장에 대응해 첨단 제품 생산 비중을 늘리고 있다. 다만 2022년 도입된 미국 수출통제로 인해 중국 공장에 미국산 장비를 반입하려면 별도 허가가 필요한 상황이며, YMTC는 2027년 말까지 세계 최대 낸드 생산업체가 되겠다는 목표를 밝혔다.
삼성전자 DS부문이 반도체연구소 내에 D램과 낸드플래시 신제품 개발을 전담하는 코어팀을 신설해 운영에 들어갔다. 코어팀은 D램·낸드 신제품 개발에 참여하는 인력으로 구성되며, 사업부 조직과 협업해 제품 개발의 완성도와 속도를 높이는 데 집중하는 것으로 알려졌다. 삼성전자는 이와 함께 핵심 인력에 대한 보상 체제도 강화하고 있다.
SK하이닉스가 고대역폭메모리(HBM)의 발열을 줄이는 차세대 기술 'iHBM'의 적용과 생산 준비를 위해 국내외 소재·부품·장비(소부장) 협력사와 협의에 착수했다. 업계에 따르면 SK하이닉스는 iHBM 기술 고도화, 실제 제품 적용, 양산 계획 등을 소부장 업체들과 논의한 것으로 전해졌다. 이는 HBM 시장 경쟁이 치열해진 가운데 AI 메모리 분야에서 앞서나가기 위한 움직임으로 풀이된다.
해외 전자공작 유튜버 Blighted Agent가 중고 노트북용 SK하이닉스 DDR5-5600 SODIMM 키트를 데스크톱용 DDR5-7800 모듈로 개조하는 데 성공했다고 밝혔다. 그는 SODIMM에서 메모리 칩을 열풍기로 분리해 리볼링한 뒤, 알리익스프레스에서 구매한 빈 데스크톱 DDR5 PCB에 재장착하고 SODIMM의 SPD·BIOS 칩까지 옮겨 다는 방식을 사용했다. 완성된 모듈은 아수스 ROG 메인보드에서 정상 인식됐으며, DDR5-7800 CL38 1.40V 설정으로 90분간 스트레스 테스트를 통과해 안정성을 확인했다. 해당 유튜버는 과거 그래픽카드 VRAM 용량을 늘리는 개조 작업도 선보인 바 있으며, 러시아의 다른 애호가 VIK-on도 유사한 SODIMM-to-DIMM 개조를 진행한 사례가 있다고 전해졌다.
중국 선전에서 열린 제5회 GMIF 혁신 서밋(GMIF2026)에서 메모리·스토리지 업계 관계자들이 AI 추론 시대에 맞춘 시스템 차원의 전략을 논의했다. 모건스탠리의 대니얼 옌은 2027년까지 클라우드 데이터센터 설비투자의 절반 이상이 HBM을 제외한 메모리와 스토리지에 투입될 것이라고 전망했다. 베이징대 차이이마오 교수는 HBF와 HBM, NAND, RRAM을 결합한 이기종 아키텍처를 제안했고, 삼성전자는 Z-NAND와 PCIe Gen6 SSD 등의 진전을 소개했다. 샌디스크와 솔리다임은 AI 인프라에서 QLC SSD 활용 확대를, 레노버는 기업 AI 운영 체계화를 위한 '토큰 팩토리' 개념을 제시했다. 행사에는 40개 기업이 참가한 전시회와 33개 기업을 대상으로 한 시상식이 함께 열렸다.