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메모리(DRAM·NAND·HBM)

삼성전자, 메모리 코어팀 신설 — D램·낸드 개발 속도 높인다

전자신문2026-10-211분 읽기
분야 자료 사진 — CPU 다이의 회로 배치 · Martijn Boer · 퍼블릭 도메인 (기사 원문의 사진이 아닙니다)

삼성전자 DS부문이 반도체연구소 내에 D램과 낸드플래시 신제품 개발을 전담하는 코어팀을 신설해 운영에 들어갔다. 코어팀은 D램·낸드 신제품 개발에 참여하는 인력으로 구성되며, 사업부 조직과 협업해 제품 개발의 완성도와 속도를 높이는 데 집중하는 것으로 알려졌다. 삼성전자는 이와 함께 핵심 인력에 대한 보상 체제도 강화하고 있다.

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전체 뉴스

마이크론, D램 4F² 구조 포기 — 웨이퍼 본딩·3D 적층 택일

마이크론 테크놀로지가 차세대 D램 미세화의 핵심으로 꼽히던 4F²(4F 스퀘어) 셀 구조 도입을 공식 포기했다고 밝혔다. 마이크론은 10월 21일(현지시간) 기술 웨비나에서 기존 6F² 구조를 연장하는 대신 웨이퍼 본딩과 3차원(3D) 적층 기술로 이어지는 향후 10년간의 메모리 개발 로드맵을 공개했다. 이는 4F² 구조 도입을 추진해온 경쟁사들과는 다른 기술 경로를 택한 것이다. 전자신문이 단독 보도했다.

전자신문2026-10-21

삼성·SK하이닉스, 중국 낸드 공장 첨단화로 AI 메모리 경쟁 대응

로이터에 따르면 삼성전자는 중국 시안 공장을 연말까지 286단 낸드플래시 생산 체제로 전환할 계획이며, 현재 이 공장은 약 200단 제품을 생산하고 삼성 전체 생산량의 약 40%를 차지한다. SK하이닉스는 다롄 공장에서 현재 192단 제품을 240단 이상으로 끌어올리는 것을 목표로 하고 있다. 두 회사는 CXMT, YMTC 등 중국 메모리 업체의 성장에 대응해 첨단 제품 생산 비중을 늘리고 있다. 다만 2022년 도입된 미국 수출통제로 인해 중국 공장에 미국산 장비를 반입하려면 별도 허가가 필요한 상황이며, YMTC는 2027년 말까지 세계 최대 낸드 생산업체가 되겠다는 목표를 밝혔다.

Tom's Hardware2026-10-21

SK하이닉스, iHBM 소부장 협의 개시 — HBM 발열 해소 기술 준비

SK하이닉스가 고대역폭메모리(HBM)의 발열을 줄이는 차세대 기술 'iHBM'의 적용과 생산 준비를 위해 국내외 소재·부품·장비(소부장) 협력사와 협의에 착수했다. 업계에 따르면 SK하이닉스는 iHBM 기술 고도화, 실제 제품 적용, 양산 계획 등을 소부장 업체들과 논의한 것으로 전해졌다. 이는 HBM 시장 경쟁이 치열해진 가운데 AI 메모리 분야에서 앞서나가기 위한 움직임으로 풀이된다.

전자신문2026-10-21

DDR5 SODIMM 리볼링, 노트북 메모리를 데스크톱 DIMM으로 개조

해외 전자공작 유튜버 Blighted Agent가 중고 노트북용 SK하이닉스 DDR5-5600 SODIMM 키트를 데스크톱용 DDR5-7800 모듈로 개조하는 데 성공했다고 밝혔다. 그는 SODIMM에서 메모리 칩을 열풍기로 분리해 리볼링한 뒤, 알리익스프레스에서 구매한 빈 데스크톱 DDR5 PCB에 재장착하고 SODIMM의 SPD·BIOS 칩까지 옮겨 다는 방식을 사용했다. 완성된 모듈은 아수스 ROG 메인보드에서 정상 인식됐으며, DDR5-7800 CL38 1.40V 설정으로 90분간 스트레스 테스트를 통과해 안정성을 확인했다. 해당 유튜버는 과거 그래픽카드 VRAM 용량을 늘리는 개조 작업도 선보인 바 있으며, 러시아의 다른 애호가 VIK-on도 유사한 SODIMM-to-DIMM 개조를 진행한 사례가 있다고 전해졌다.

Tom's Hardware2026-10-20

GMIF2026 선전 개최, 삼성·샌디스크 등 AI 메모리 전략 공유

중국 선전에서 열린 제5회 GMIF 혁신 서밋(GMIF2026)에서 메모리·스토리지 업계 관계자들이 AI 추론 시대에 맞춘 시스템 차원의 전략을 논의했다. 모건스탠리의 대니얼 옌은 2027년까지 클라우드 데이터센터 설비투자의 절반 이상이 HBM을 제외한 메모리와 스토리지에 투입될 것이라고 전망했다. 베이징대 차이이마오 교수는 HBF와 HBM, NAND, RRAM을 결합한 이기종 아키텍처를 제안했고, 삼성전자는 Z-NAND와 PCIe Gen6 SSD 등의 진전을 소개했다. 샌디스크와 솔리다임은 AI 인프라에서 QLC SSD 활용 확대를, 레노버는 기업 AI 운영 체계화를 위한 '토큰 팩토리' 개념을 제시했다. 행사에는 40개 기업이 참가한 전시회와 33개 기업을 대상으로 한 시상식이 함께 열렸다.

ZDNet Korea2026-10-20

메타 VR 글래스, 샌디스크가 저장장치 단독 공급 — 웨어러블 공급망 진입

샌디스크는 2027년 봄 출시 예정인 메타 VR 글래스의 저장장치 솔루션 단독 공급업체로 선정됐다고 19일 밝혔다. 공급 제품은 마이크로SD 익스프레스 메모리 카드와 USB-C 플래시 드라이브로 구성된다. 이들 제품은 메타의 품질 기준에 맞춘 테스트를 거쳐 공식 '메이드 포 메타' 액세서리 생태계에 포함됐다. 샌디스크는 메타와 공동 설계를 통해 VR 글래스와의 호환성과 성능 최적화를 꾀했다고 설명했다.

전자신문2026-10-19

메타 VR 글래스에 샌디스크 낸드 탑재 — 마이크로SD·USB-C 단독 공급

샌디스크는 내년 봄 출시 예정인 메타의 가상현실(VR) 글래스 기기에 플래시 메모리를 단독 공급한다고 19일 밝혔다. 탑재 제품은 마이크로 SD 익스프레스 메모리 카드와 USB-C 플래시 드라이브다. 샌디스크는 메타와 파트너십을 체결해 VR용 플래시 메모리를 공동 설계했으며, 메타의 품질 기준에 맞춰 사전 테스트를 거쳤다. 샌디스크는 메타 VR 글래스 출시 후 관련 스토리지 제품을 판매할 계획이다.

디일렉 반도체2026-10-19

삼성전자 V10 낸드 400단 돌파, zNAND-O로 온디바이스 AI 공략

삼성전자는 중국 선전에서 열린 GMIF2026 기조연설에서 에이전틱 AI를 위한 메모리·스토리지 풀스택 포트폴리오를 공개했다. KV 캐시 공유용 서버 SSD로 PCIe Gen6 기반 PM1763과 V9 QLC 기반 BM1773(16TB~256TB)을 소개했으며, PM1763은 2026년 4분기 샘플 출하를 예정하고 있다. 또한 업계 최초로 400단 이상을 구현한 V10 BV-NAND를 선보였는데, V9 대비 비트 밀도 58% 향상, I/O 33% 개선, 소비 전력 25% 절감을 달성했다. 온디바이스 AI를 위한 차세대 낸드 아키텍처 zNAND-O도 공개했으며, MPU와 패키징돼 UCIe 인터페이스로 연결되고 DRAM 대비 10배의 비트 밀도를 구현한다. 삼성 반도체는 이날 AI 메모리 및 스토리지 산업 우수 리더십상을 수상했다.

ZDNet Korea2026-10-19