이셀레늄화주석 터널링 주입기, 2차원 반도체 접촉장벽 해결

KAIST 서준기 교수 연구팀이 연세대·KIST·UNIST, 삼성전자, 중국 베이징 계산과학연구센터와 공동으로 이셀레늄화주석(SnSe₂)을 이용한 '범용 반데르발스 터널링 주입기'를 개발했다. 이 소재는 금속 전극 증착 시 발생하는 단층 결정 손상과 접촉 장벽 문제를 해결해, p형 WSe₂와 n형 MoS₂ 등 서로 다른 초박막 반도체에 모두 적용할 수 있다. 실험에서 이셀레늄화주석을 적용한 p형 WSe₂ 트랜지스터는 기존 니켈 전극 소자보다 구동 전류가 크게 증가했고, n형 MoS₂ 트랜지스터는 온·오프 전류비가 10억 이상을 기록했다. 연구팀은 n형·p형 트랜지스터를 결합한 CMOS 인버터도 제작해 안정적 동작을 확인했으며, 연구결과는 '어드밴스드 머티리얼즈'에 게재됐다.

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