KAIST 등, 2D반도체 핵생성 위치 제어 기술 네이처에 발표

KAIST, TDS Innovation, 한양대, UNIST 등 공동 연구팀이 식각 플럭스를 이용해 2차원 반도체의 핵생성 위치를 결정론적으로 제어하는 기술을 발표했다. 기존 방식은 성장 영역을 선택적으로 제한할 수 있었지만, 그 영역 내에서 개별 핵이 정확히 어디에 생기는지는 무작위적으로 남아 있었다. 연구팀은 식각 플럭스 매개 단일중심 핵생성 방식으로 하나의 핵생성 사건을 특정 위치에 고정시키는 데 성공했다고 밝혔다. 이 연구 결과는 2026년 10월 Nature 658권 398~406쪽에 게재됐다.
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이 글은 원문을 요약한 큐레이션입니다. 제목은 요약에 맞춰 새로 붙였습니다. 수치와 단위는 원문 표기를 유지했습니다. 전체 내용은 원 매체에서 읽어 주세요.원문: Semiconductor Engineering 「Deterministic Nucleation Enables Controlled Growth of 2D Semiconductors (KAIST, TDS, Hanyang et al.)」
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