UCSC 백사이드 클럭 메시, 2나노 GAAFET 스큐·전력 줄여

캘리포니아대 산타크루즈(UCSC) 연구진이 2nm GAAFET 후면전력공급(BSPDN) 기술을 대상으로 백사이드 클럭 메시의 설계공간을 탐구한 논문을 발표했다. 백사이드 전력 공급은 웨이퍼 뒷면에 두껍고 저저항인 금속층을 추가하는데, 전력 그리드가 이를 모두 사용하지 않아 남는 공간이 생긴다는 점에 착안했다. 플립플롭은 여전히 전면에 있어 백사이드 메시가 이를 직접 구동할 수 없고, 모든 연결은 실리콘관통전극(TSV)을 거친다. 연구팀은 OpenROAD 툴을 이용해 2nm 나노시트 기술인 GT2N 상에서 백사이드 클럭 메시를 구현, 이 분야 최초의 설계공간 탐색 결과를 제시했다.
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