"포토마스크"
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ABF 기판 품귀와 포토마스크 대형화, AI 가속기 공급망 병목 확산
톰스하드웨어는 2026년 9월 12일자 프리미엄 주간 정리에서 여러 반도체·AI 관련 기사를 모아 소개했다. Qwen 3.8 27B를 RTX 5090, 맥 미니, DGX 스파크, 스트릭스 헤일로 등 여러 기기에서 벤치마크한 결과 VRAM 용량만으로는 소프트웨어·추론 엔진 병목을 극복할 수 없다는 점이 확인됐다. 아지노모토의 ABF 기판은 엔비디아·인텔·AMD 등 AI 가속기 공급망의 핵심 소재로, 수요 급증에 따른 공급 부족을 겪고 있다고 소개됐다. TSMC, 삼성전자, 인텔은 ASML의 6×12인치 포토마스크 전환을 지지했으며, 이는 하이-NA EUV 노광에서 여러 노광을 이어붙이는 스티칭 공정을 없애기 위한 것으로 전환에는 수년이 걸릴 것으로 분석됐다.
OLED 포토마스크 최대 30장, HMO 공정통합으로 원가 절감 추진
프리미엄 스마트폰용 OLED에 최대 약 30개의 포토마스크가 사용되면서 원가 부담이 커지고 있다. 패널 업계는 고이동도 산화물(HMO)과 공정 통합 기술을 활용해 마스크 수를 줄이는 방안을 추진하고 있다. 장현준 시그마인텔 한국지사장은 9일 판교에서 열린 '시그마인텔 디스플레이 서밋'에서 마스크 감축이 공정 단순화와 생산능력 확보, 결함 감소로 이어질 수 있다고 설명했다.
ASML·TSMC, 12인치 포토마스크 전환 협력 — EUV 팹 생산성 개선 추진
ASML과 TSMC가 EUV 리소그래피용 12인치 포토마스크로의 전환을 이끌기 위한 협업 체계를 구축했다고 밝혔다. 인텔 파운드리와 삼성전자도 이 이니셔티브를 지지한다고 밝혔다. 목표는 2031년까지 12인치 마스크 파일럿 라인을 구축하고 2033년까지 첨단 노드 양산용 리소그래피 장비를 준비하는 것이다. ASML은 하이-NA EUV가 초기에는 기존 6인치 마스크로 양산에 투입되지만, 12인치 마스크로 전환하면 팹 생산성을 높이고 비용을 낮추며 스티칭 제약을 없앨 수 있다고 설명했다. 삼성전자는 2028년까지 하이-NA EUV를 D램 양산에 처음 도입할 계획이라고 밝혔다.
삼성전자·ASML 포토마스크 협력 — 2028년 D램용 하이NA EUV 적용
삼성전자가 ASML과 손잡고 차세대 12인치 포토마스크 공동 개발에 나선다. 삼성전자는 ASML이 주도하는 대형 마스크 컨소시엄에 참여해 6인치 마스크의 스티칭 공정 한계를 해소하고 하이 NA EUV 성능을 극대화할 계획이다. 양사는 2028년까지 첨단 D램 양산라인에 업계 최초로 하이 NA EUV 장비를 적용하기 위한 협력을 가속화하기로 했다. 하이 NA EUV는 렌즈 개구수를 기존 0.33에서 0.55로 높여 초미세회로를 단일 노광으로 구현하는 장비다. ASML 크리스토프 푸케 CEO와 삼성전자 전영현 부회장은 AI 시대에 맞춰 반도체 제조 혁신을 위한 협력을 강화하겠다고 밝혔다.
