"D램"
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난야, 인텔 특허 이관받은 NPE에 D램 특허소송 피소
미국 텍사스 소재 특허관리전문기업(NPE) 파워워치시스템이 대만 난야를 상대로 텍사스동부연방법원에 D램 특허침해소송을 제기했다. 이번 소송에 쓰인 특허 2건(US7,281,079·7,432,731)은 인텔이 2022년 특허 수익화를 위해 신설한 타호리서치에 이관했던 포트폴리오에 포함된 것으로, 타호리서치에서 사우스포크IP홀딩스를 거쳐 파워워치시스템으로 여러 차례 이관됐다. 파워워치시스템은 난야의 DDR3, DDR3(L), DDR4 SDRAM, DIMM 제품이 해당 특허를 침해했다고 주장했으며, 2023년 3월 경고장을 보냈지만 라이선스 협상이 이뤄지지 않아 소송에 이르렀다고 밝혔다. 카운터포인트에 따르면 올해 2분기 D램 시장(매출 기준)에서 난야 점유율은 5위였다. SK하이닉스 특허를 양수한 NPE 미미르IP도 이달 대만 미디어텍을 상대로 별도의 특허침해소송을 제기하는 등 반도체 업계의 NPE발 특허분쟁이 이어지고 있다.
마이크론 4분기 실적발표 예고, D램·낸드 가격 지표 부상
미국 마이크론이 10월1일(한국시간) 2026회계연도 4분기(6~8월) 실적을 발표한다. 마이크론은 이번 분기 매출을 500억 달러(±10억 달러)로 제시해 또 한 번 역대 최대 실적을 예고했다. 전분기 매출은 414억6000만달러로 전년 동기 대비 크게 증가한 바 있다. 메모리 3사 중 실적을 가장 먼저 공개하는 마이크론의 발표는 삼성전자와 SK하이닉스의 3분기 실적, D램·낸드 평균판매가격(ASP) 흐름을 가늠하는 지표로 주목받고 있다.
D램 가격 급등, PC 조립 양극화 — 저가 개조 vs 초프리미엄
Tom's Hardware는 D램 가격 급등과 스토리지 가격 상승, GPU 성능 정체 및 가격 인상이 겹치며 PC 조립 환경이 나빠졌다고 진단했다. 첫째 흐름은 AMD BC-250처럼 PS5 파생 저사양 칩을 커뮤니티가 개조해 리눅스 기반 게임기로 재활용하는 사례다. 둘째는 Asus ROG Edition 20 시리즈처럼 고가 부품을 모은 초프리미엄 PC 시장으로, 가격에 구애받지 않는 소비층을 겨냥한다. 반면 중저가 메인스트림 게이밍 PC 시장은 D램·GPU·스토리지 가격 상승과 DDR4 성능 한계로 위축될 것이라고 필자는 전망했으며, 콘솔·게이밍 노트북·핸드헬드나 밸브 스팀머신 같은 대안이 부각되고 있다고 전했다.
AI 메모리 호황에 D램 가치, TSMC 첨단공정 앞질러
반도체 분석업체 커널 인사이트가 단위 면적(mm²)당 가치를 기준으로 비교한 결과, 최신 공정 D램의 가치가 TSMC의 N2(2나노)·N3(3나노) 웨이퍼 가격을 웃도는 것으로 나타났다. 특히 최신 1b D램은 TSMC N2 웨이퍼보다 50% 이상 높은 가치를 기록했다. 이는 최근 강세를 보이는 DDR5 현물 가격 흐름과 맞닿아 있다는 분석이다. 다만 TSMC 수치는 웨이퍼 가공 가격이고 D램 수치는 완제품 판매 매출 잠재력이어서 성격이 다르며, 실제 장기 고정거래 가격과도 차이가 있어 단순 비교에는 한계가 있다.
메모리(DRAM·NAND·HBM)삼성전자, D0a D램에 B1b 하이브리드 본딩 도입 — HBM5 적용도 검토
삼성전자가 차세대 D램 로드맵을 수정해 웨이퍼투웨이퍼(W2W) 하이브리드 본딩 기술인 'B1b'를 첫 10나노 미만 D램 'D0a'로 편입했다. 기존 D0a로 불리던 수직트랜지스터(VCT) D램은 'D0a-V'라는 별도 명칭으로 분리됐다. B1b는 메모리 셀과 페리 회로를 각각 다른 웨이퍼에서 제조한 뒤 구리 배선을 직접 연결하는 방식으로, CMOS 이미지센서와 고적층 낸드에 이미 적용된 기술이다. 삼성전자는 B1b를 차세대 HBM5(8세대)에도 적용하는 방안을 검토 중이며, B1b 기반 D0a D램의 상용화는 빨라야 2년 후로 추산된다.
D램 면적당 판매가치, TSMC N2·N3 웨이퍼가 추월 — 스팟가 분석
분석가 Kurnal Insights가 유출 정보와 스팟가격을 바탕으로 D램의 면적당(㎟) 판매가치가 TSMC의 N2·N3 공정으로 처리한 웨이퍼의 면적당 가격을 넘어섰다는 계산 결과를 공개했다. 다만 이는 수율, 다이싱, 결함, 불량 가장자리 등을 반영하지 않은 명목 웨이퍼 가격과 D램의 이론적 판매가치를 단순 비교한 것이라는 한계가 있다. TrendForce는 DDR5 스팟 거래량이 제한적이고 산발적이어서 스팟가격이 마이크론·삼성전자·SK하이닉스의 실제 대량 판매가를 반영하지 않을 수 있다고 지적했다. 패키징 비용 차이와 TSMC의 고객·물량별 계약 조건까지 고려하면 두 수치를 직접 비교하기는 어렵다고 매체는 설명했다.
CXMT, G5 공정 5세대 D램 양산 — 24Gb LPDDR5X로 용량 50% 확대
중국 CXMT가 5세대 D램 공정 G5를 적용해 24Gb LPDDR5X 제품 양산을 시작했다. G5는 쿼드러플 패터닝 리소그래피로 활성영역 하프피치를 11.95nm까지 줄였으며, 이는 다른 업체의 10나노급 D램과 유사한 수준이지만 통상적인 공정 노드 명칭과 직접 비교하기는 어렵다. 또한 HKMG 공정으로 코어 셀 어레이 높이를 6,762nm로 낮추고, 저장 커패시터의 종횡비를 약 45대1까지 확보했다고 밝혔다. 새로 양산된 24Gb LPDDR5X는 기존 대비 50% 늘어난 용량을 제공하며 두 가지 패키지 형태로 중국 플래그십 스마트폰에 탑재되고 있다. CXMT는 G5가 G4 대비 웨이퍼당 다이 수를 50% 늘렸다고 주장했지만 구체적 수치와 수율은 공개하지 않았다.
CXMT, D램 넘어 낸드 진출 검토 — 중국 메모리 경쟁 확대
EE Times는 중국 D램 전문업체 창신메모리테크놀로지(CXMT)가 낸드플래시 시장 진입을 준비하고 있다고 보도했다. CXMT는 그동안 D램 시장에서 존재감을 키워온 업체로, 이번 보도가 사실이라면 낸드 시장에도 새로운 경쟁자가 등장하는 셈이다. 다만 구체적인 진입 시기나 방식 등 세부 내용은 확인되지 않았다.