SemiAnalysis가 인텔 팬서레이크(코어 울트라 7 365)를 분해해 18A 공정을 분석했다. 이 칩은 후면전력배선(PowerVia)과 인텔 최초의 게이트올어라운드(GAA) 트랜지스터인 리본펫, 포베로스-S 패키징을 처음 상용 적용했다. 컴퓨트 타일과 GPU 타일, I/O 타일이 수동 베이스 타일 위에 조립되며, GPU는 4코어 GT1(인텔3)과 12코어 GT2(TSMC N3E) 두 종류로 구성된다. 측정 결과 18A 컴퓨트 로직은 TSMC N3E GPU 로직과 유사한 로직 밀도를 보였으나, TSMC N3P·N2나 삼성 SF2보다는 최고 밀도에서 앞서지 못했다. CPU 코어는 점진적 개선에 그쳤고 상위 GPU는 여전히 TSMC N3E를 사용한다.

SemiAnalysis2026-09-26영문 원문↗시장·실적·공급망

SUNeVision, UNSDGAA 2026 지속가능 브론즈상 수상

홍콩 SUNeVision Holdings(SEHK: 1686)가 UNSDGAA 2026에서 지속가능 조직 부문 브론즈상을 수상했다고 밝혔다. 이번 수상은 4년 연속으로, 회사 측은 지속가능성에 대한 노력과 홍콩의 탄소중립 목표 기여를 인정받았다고 설명했다. SUNeVision은 Sun Hung Kai 그룹의 기술 계열사로 소개됐다.

KIPOST2026-09-24↗파운드리·공정

IMECAS, EUV 없이 3nm급 GAA 구동 — 세부 스펙은 비공개

중국과학원 산하 IMECAS가 EUV 없이 이머전 DUV 리소그래피만으로 적층형 나노시트 게이트올어라운드(GAA) 트랜지스터를 만드는 실험적 공정을 개발해 동작하는 소자를 시연했다고 디지타임스가 보도했다. 국가 주요 특별프로젝트 02의 예톈춘 수석엔지니어는 베이징 IC 월드 콘퍼런스에서 IMECAS가 '초기 공정 통합'을 완료했다고 밝혔다. 시제품 소자의 Ion/Ioff 비율은 각각 9.7×10⁵과 7.6×10⁵로, 게이트 제어가 이뤄졌음을 보여주는 기준치인 5×10⁵를 넘었다. 다만 게이트 피치, 금속 피치, 나노시트 치수, 트랜지스터 밀도, SRAM 밀도 등 다른 3nm급 공정과 비교할 수 있는 세부 수치는 공개되지 않았다. IMECAS는 2020년부터 3nm 이하 노드를 겨냥한 GAA 기술을 개발해왔다고 밝혔다.

Tom's Hardware2026-09-21영문 원문

장비·소재·부품

아케마, 울산 GAA 저장시설 — PI첨단소재 원료 공급망 강화

프랑스 아케마가 한국 울산 HDOT 터미널에 3000세제곱미터 규모의 고순도 아크릴산(GAA) 저장시설을 확보했다고 21일 밝혔다. 아시아 내 아크릴계 제품 수요 증가에 대응하고 고객 서비스와 공급 안정성을 강화하기 위한 투자라고 설명했다. 신규 저장탱크는 한국 내 아케마의 고순도 아크릴산 사업을 위한 저장 허브 역할을 맡는다. 아케마 아크릴모노머 사업 에르베 카스트르 생 마르탱 사장은 한국 프로젝트가 동북아시아 전역의 시너지와 생산·공급·물류 네트워크 연계를 강화할 것이라고 밝혔다.

ZDNet Korea2026-09-21

파운드리·공정

SEMulator3D로 GAA 채널 응력편차 분석, 최상단 두께가 핵심

Lam Research 엔지니어들이 SEMulator3D 가상 공정 모델링 도구를 이용해 게이트올어라운드(GAA) 나노시트 트랜지스터의 적층 채널 간 응력 불균일 문제를 분석했다. 채널은 소스·드레인의 에피택셜 성장 물질과 실리콘 간 격자 불일치로 응력을 받으며, 채널마다 응력 편차가 크면 캐리어 이동도와 문턱전압, 누설전류가 불균일해질 수 있다. 설계 실험(DOE)에서 채널 두께와 핀 폭을 변화시킨 결과 nFET의 응력 편차가 pFET보다 컸고, 최상단 채널(Channel 3)의 두께가 응력 균일성에 가장 큰 영향을 미쳤다. 최상단 채널을 4nm에서 7nm로 다소 두껍게 설계하면 채널 간 응력 편차가 줄어드는 것으로 확인됐다.

Semiconductor Engineering2026-09-17영문 원문