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메모리(DRAM·NAND·HBM)

딥시크 V4.1 플래시 개정, 토큰 효율 높이고 환각 위험 여전

Tom's Hardware2026-10-231분 읽기영문 원문

분야 자료 사진 — CPU 다이의 회로 배치 · Martijn Boer · 퍼블릭 도메인 (기사 원문의 사진이 아닙니다)

딥시크가 오픈 웨이트 모델 V4.1 플래시의 개정판인 1017을 공개했다. 이 모델은 전체 552B, 활성 16B 파라미터를 가진 MoE 구조로 텍스트와 이미지를 함께 처리하며 100만 토큰 컨텍스트를 지원한다. 개정판은 토큰당 KV 캐시 저장에 필요한 HBM 용량과 SSD 저장 용량을 이전 버전보다 크게 줄여 하드웨어 요구치를 낮췄다고 회사 측은 밝혔다. 다만 Artificial Analysis의 옴니션스 벤치마크에서는 답을 모를 때도 추측성 답변을 내놓는 환각 비율이 높게 측정돼, 신뢰도 면에서는 프런티어 모델에 못 미친다는 평가가 나왔다.

이 글에 나온 것

#딥시크 #오픈웨이트모델 #HBM #KV캐시 #AI모델

이 글은 원문을 요약한 큐레이션입니다. 제목은 요약에 맞춰 새로 붙였습니다. 수치와 단위는 원문 표기를 유지했습니다. 전체 내용은 원 매체에서 읽어 주세요.원문: Tom's Hardware 「Deepseek's latest AI model is smarter than ever, but its low running costs come at a price」

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메모리(DRAM·NAND·HBM) 소식 더 보기

마이크론 차세대 G11 낸드, 웨이퍼 본딩으로 400단 돌파

마이크론이 2027년 하반기 양산을 목표로 차세대 3D 낸드 G11을 개발 중이라고 밝혔다. G11은 기존 G9 세대 대비 비트 밀도를 두 배로 높이고 입출력 성능을 최대 50% 향상시키며 전력 소비를 줄이는 것이 목표다. 이를 위해 YMTC가 앞서 적용한 웨이퍼-온-웨이퍼 본딩 기술을 도입해 메모리 셀 어레이와 주변 로직을 별도 공정으로 제작한 뒤 결합하는 방식을 택했다. 또한 활성 워드라인 수는 공개하지 않았지만 400단 이상의 적층과 업계 최고 수준의 셀 피치를 적용할 계획이다. 마이크론은 G11 이후에도 신소재와 고밀도 셀 구조 개발을 통해 적층 수 증가와 셀 치수 축소를 병행하는 방향으로 낸드 스케일링을 이어갈 것이라고 설명했다.

Tom's Hardware2026-10-23

솔리다임, SK하이닉스 상장 검토 철회 — 반도체 투자심리 위축 영향

SK하이닉스는 23일 손자회사 솔리다임의 상장전 자금조달(프리 IPO) 및 기업공개(IPO) 검토를 중단한다고 밝혔다. 회사는 자본시장 여건과 주가흐름을 고려할 때 IPO가 회사와 기존 주주들에게 가장 유리한 선택인지 재검토할 필요가 있다고 판단했다고 설명했다. 이는 솔리다임 상장을 검토 중이라고 밝힌 지 약 두 달 만의 결정이다. 중국 CXMT의 추격과 AI 투자 위축론 등으로 SK하이닉스를 비롯한 반도체 주식에 대한 투자 심리가 위축된 점이 철회 배경으로 꼽혔다.

디일렉 반도체2026-10-23

SK하이닉스, 솔리다임 IPO 검토 중단 — 미국 생산시설 투자 방식 재검토

SK하이닉스는 자회사 솔리다임의 기업공개(IPO) 검토를 중단한다고 밝혔다. 회사는 솔리다임의 성장 가능성과 투자 필요성은 여전하지만, 자본시장 여건과 주가흐름을 고려할 때 현재 IPO가 SK하이닉스와 기존 주주들에게 가장 유리한 선택인지 재검토할 필요가 있다고 판단했다고 설명했다. SK하이닉스는 AI 시대 메모리 수요 증가를 솔리다임의 성장 기회로 보고, 미국 내 신규 생산시설 확보를 위한 재원 조달 방안으로 직접투자와 IPO 등을 비교 검토해왔다.

KIPOST2026-10-22

솔리다임, 美 상장 철회 — SK하이닉스 낸드 자금조달 전략 수정

SK하이닉스는 23일 공시를 통해 미국 낸드 손자회사 솔리다임의 프리IPO 및 기업공개(IPO) 검토를 중단한다고 밝혔다. 솔리다임은 생산능력 확대와 경쟁력 강화를 위한 자금조달 방안을 다각도로 검토해왔으나, 자본시장 여건 등을 종합적으로 고려해 상장 추진을 멈추기로 했다고 설명했다. 솔리다임은 SK하이닉스가 2020~2021년 인텔의 낸드플래시·SSD 사업을 약 90억달러에 인수하며 출범한 자회사다.

전자신문2026-10-22

Goodram 폴란드 공장, DRAM·SSD 번인테스트로 신뢰성 검증

폴란드 메모리 제조사 Goodram이 자사 폴란드 공장에서 시행하는 DRAM과 SSD 품질 검증 절차를 공개했다. 해당 공장은 섭씨 80도에서 진행하는 번인(burn-in) 테스트를 포함해 400개가 넘는 진단 플랫폼을 운용하고 있다. 여기에 고도화된 환경 검증 절차까지 더해 제품 신뢰성을 확인하고 있다고 밝혔다.

EE Times2026-10-22

마이크론, 4F² D램 포기 — 6F²·3D D램으로 전략 선회

마이크론 최고기술책임자(CTO) 스콧 디보어는 20년간 연구해온 4F² D램 셀 구조를 채택하지 않기로 했다고 밝혔다. 그는 D램 비트 밀도를 좌우하는 것은 트랜지스터 면적(4F² 대 6F²)이 아니라 커패시터 피치와 크기라며, 4F² 구조는 제조 복잡성과 비용만 늘린다고 설명했다. 대신 마이크론은 기존 6F² 구조를 유지하면서 커패시터 피치 축소, 첨단 리소그래피, 웨이퍼 본딩 등으로 D램 스케일링을 이어가고, 차세대 1δ 공정을 2027년 하반기 양산할 계획이라고 밝혔다. 장기적으로는 셀을 수직으로 쌓는 3D D램을 궁극적인 대안으로 제시했다. 삼성전자와 SK하이닉스는 TechInsights에 따르면 여전히 4F² D램을 로드맵에 두고 있다.

Tom's Hardware2026-10-22

중국 CXMT, 4F² 구조 서버용 D램 연말 상용화 예고

중국 메모리 업체 창신메모리(CXMT)가 연말까지 '4F스퀘어(4F²)' 구조를 적용한 차세대 서버용 D램 제품을 출시한다고 밝혔다. 4F²는 현재 D램 제조의 핵심 구조인 '6F²'보다 메모리 집적도를 높일 수 있는 기술이다. 삼성전자와 SK하이닉스도 4F² 상용화를 추진하고 있으나 CXMT가 먼저 상용화 계획을 발표했다. 이 소식이 전해진 다음 날 코스피에서 삼성전자 주가가 하락했다.

전자신문2026-10-22

마이크론, D램 4F² 구조 포기 — 웨이퍼 본딩·3D 적층 택일

마이크론 테크놀로지가 차세대 D램 미세화의 핵심으로 꼽히던 4F²(4F 스퀘어) 셀 구조 도입을 공식 포기했다고 밝혔다. 마이크론은 10월 21일(현지시간) 기술 웨비나에서 기존 6F² 구조를 연장하는 대신 웨이퍼 본딩과 3차원(3D) 적층 기술로 이어지는 향후 10년간의 메모리 개발 로드맵을 공개했다. 이는 4F² 구조 도입을 추진해온 경쟁사들과는 다른 기술 경로를 택한 것이다. 전자신문이 단독 보도했다.

전자신문2026-10-21