SK하이닉스는 23일 손자회사 솔리다임의 상장전 자금조달(프리 IPO) 및 기업공개(IPO) 검토를 중단한다고 밝혔다. 회사는 자본시장 여건과 주가흐름을 고려할 때 IPO가 회사와 기존 주주들에게 가장 유리한 선택인지 재검토할 필요가 있다고 판단했다고 설명했다. 이는 솔리다임 상장을 검토 중이라고 밝힌 지 약 두 달 만의 결정이다. 중국 CXMT의 추격과 AI 투자 위축론 등으로 SK하이닉스를 비롯한 반도체 주식에 대한 투자 심리가 위축된 점이 철회 배경으로 꼽혔다.
이 글은 원문을 요약한 큐레이션입니다. 제목은 요약에 맞춰 새로 붙였습니다. 수치와 단위는 원문 표기를 유지했습니다. 전체 내용은 원 매체에서 읽어 주세요.원문: 디일렉 반도체 「SK하이닉스, 솔리다임 상장 검토 중단」
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SK하이닉스는 23일 공시를 통해 미국 낸드 손자회사 솔리다임의 프리IPO 및 기업공개(IPO) 검토를 중단한다고 밝혔다. 솔리다임은 생산능력 확대와 경쟁력 강화를 위한 자금조달 방안을 다각도로 검토해왔으나, 자본시장 여건 등을 종합적으로 고려해 상장 추진을 멈추기로 했다고 설명했다. 솔리다임은 SK하이닉스가 2020~2021년 인텔의 낸드플래시·SSD 사업을 약 90억달러에 인수하며 출범한 자회사다.
폴란드 메모리 제조사 Goodram이 자사 폴란드 공장에서 시행하는 DRAM과 SSD 품질 검증 절차를 공개했다. 해당 공장은 섭씨 80도에서 진행하는 번인(burn-in) 테스트를 포함해 400개가 넘는 진단 플랫폼을 운용하고 있다. 여기에 고도화된 환경 검증 절차까지 더해 제품 신뢰성을 확인하고 있다고 밝혔다.
마이크론 최고기술책임자(CTO) 스콧 디보어는 20년간 연구해온 4F² D램 셀 구조를 채택하지 않기로 했다고 밝혔다. 그는 D램 비트 밀도를 좌우하는 것은 트랜지스터 면적(4F² 대 6F²)이 아니라 커패시터 피치와 크기라며, 4F² 구조는 제조 복잡성과 비용만 늘린다고 설명했다. 대신 마이크론은 기존 6F² 구조를 유지하면서 커패시터 피치 축소, 첨단 리소그래피, 웨이퍼 본딩 등으로 D램 스케일링을 이어가고, 차세대 1δ 공정을 2027년 하반기 양산할 계획이라고 밝혔다. 장기적으로는 셀을 수직으로 쌓는 3D D램을 궁극적인 대안으로 제시했다. 삼성전자와 SK하이닉스는 TechInsights에 따르면 여전히 4F² D램을 로드맵에 두고 있다.
중국 메모리 업체 창신메모리(CXMT)가 연말까지 '4F스퀘어(4F²)' 구조를 적용한 차세대 서버용 D램 제품을 출시한다고 밝혔다. 4F²는 현재 D램 제조의 핵심 구조인 '6F²'보다 메모리 집적도를 높일 수 있는 기술이다. 삼성전자와 SK하이닉스도 4F² 상용화를 추진하고 있으나 CXMT가 먼저 상용화 계획을 발표했다. 이 소식이 전해진 다음 날 코스피에서 삼성전자 주가가 하락했다.
마이크론 테크놀로지가 차세대 D램 미세화의 핵심으로 꼽히던 4F²(4F 스퀘어) 셀 구조 도입을 공식 포기했다고 밝혔다. 마이크론은 10월 21일(현지시간) 기술 웨비나에서 기존 6F² 구조를 연장하는 대신 웨이퍼 본딩과 3차원(3D) 적층 기술로 이어지는 향후 10년간의 메모리 개발 로드맵을 공개했다. 이는 4F² 구조 도입을 추진해온 경쟁사들과는 다른 기술 경로를 택한 것이다. 전자신문이 단독 보도했다.
로이터에 따르면 삼성전자는 중국 시안 공장을 연말까지 286단 낸드플래시 생산 체제로 전환할 계획이며, 현재 이 공장은 약 200단 제품을 생산하고 삼성 전체 생산량의 약 40%를 차지한다. SK하이닉스는 다롄 공장에서 현재 192단 제품을 240단 이상으로 끌어올리는 것을 목표로 하고 있다. 두 회사는 CXMT, YMTC 등 중국 메모리 업체의 성장에 대응해 첨단 제품 생산 비중을 늘리고 있다. 다만 2022년 도입된 미국 수출통제로 인해 중국 공장에 미국산 장비를 반입하려면 별도 허가가 필요한 상황이며, YMTC는 2027년 말까지 세계 최대 낸드 생산업체가 되겠다는 목표를 밝혔다.
삼성전자 DS부문이 반도체연구소 내에 D램과 낸드플래시 신제품 개발을 전담하는 코어팀을 신설해 운영에 들어갔다. 코어팀은 D램·낸드 신제품 개발에 참여하는 인력으로 구성되며, 사업부 조직과 협업해 제품 개발의 완성도와 속도를 높이는 데 집중하는 것으로 알려졌다. 삼성전자는 이와 함께 핵심 인력에 대한 보상 체제도 강화하고 있다.
SK하이닉스가 고대역폭메모리(HBM)의 발열을 줄이는 차세대 기술 'iHBM'의 적용과 생산 준비를 위해 국내외 소재·부품·장비(소부장) 협력사와 협의에 착수했다. 업계에 따르면 SK하이닉스는 iHBM 기술 고도화, 실제 제품 적용, 양산 계획 등을 소부장 업체들과 논의한 것으로 전해졌다. 이는 HBM 시장 경쟁이 치열해진 가운데 AI 메모리 분야에서 앞서나가기 위한 움직임으로 풀이된다.