삼성전자 출신 CXMT 피고인, 18나노 D램 기술유출 항소심 공방

서울고등법원에서 열린 산업기술 해외유출 사건 항소심에서, 삼성전자 출신으로 2016년 중국 CXMT에 입사한 피고인이 '허페이 프로젝트' 관련 설비투자 자료를 취합한 사실은 인정하면서도 18나노 공정 기술 자체는 몰랐다고 주장했다. 검찰은 피고인이 USB에 '삼성전자 18나노 공정'을 뜻하는 'D18' 파일명을 저장한 점과, 임플란터 전문가 영입 후 PRP(공정설계도) 세부 단계가 536개에서 615개로 늘어난 점을 근거로 기술유출 가능성을 추궁했다. 피고인은 1심에서 PRP를 엔지니어 기억만으로 재현할 수 있다고 주장했으나, 항소심에서는 이를 번복했다. 함께 입사한 B씨는 징역 6년을 선고받았고, 피고인 본인은 1심에서 징역 7년을 선고받았으며 2심 선고는 10월 하순 예정이다.
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이 글은 원문을 요약한 큐레이션입니다. 제목은 요약에 맞춰 새로 붙였습니다. 수치와 단위는 원문 표기를 유지했습니다. 전체 내용은 원 매체에서 읽어 주세요.원문: ZDNet Korea 「"항상 주변에 삼성·국정원이 있는지 확인하라"」
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