EPE 오차, OPC·EDA가 이끄는 차세대 전산 리소그래피

SPIE 포토마스크·EUV 리소그래피 콘퍼런스 패널에서 IBM, 칼자이스 SMT, 마이크론, ASML, 텍센드, 어플라이드 머티리얼즈 전문가들이 엣지 배치 오차(EPE) 문제를 논의했다. 패널은 EPE가 더 이상 좁은 리소그래피 지표가 아니라 마스크, 스캐너, 레지스트, 식각, 계측, OPC가 모두 연결된 시스템 차원의 문제가 됐다고 평가했다. 설문에서 OPC는 EPE의 주요 원인이자 향후 개선을 이끌 핵심 수단으로 동시에 지목됐다. 패널은 EDA가 이상화된 마스크가 아닌 패턴 의존적 공정 변수를 반영해야 하며, 인공지능은 물리 모델과 검증을 동반한 설명 가능한 형태로 도입돼야 한다고 강조했다. 또한 EDA가 EPE를 전력·성능·면적·비용·수율과 연결해야 한다는 의견도 제시됐다.
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