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ASML 수출규제, 네덜란드 총리가 미국과 조율 중
롭 예텐 네덜란드 총리가 뉴욕에서 진행된 블룸버그TV 인터뷰에서 미국이 ASML에 추가 수출 규제를 가하지 않도록 도널드 트럼프 대통령과 대화했다고 밝혔다. 그는 양측이 합의에 이를 수 있다고 언급했다. 예텐 총리는 MATCH(Multilateral Alignment of Technology Controls on Hardware Act) 법안과 반도체 산업 보호의 중요성에 대해 미국 대통령 및 의원들과 이미 여러 차례 대화했다고 전했다.
ASML, 2026년 상반기 유럽 매출 0% — EUV향 첨단 팹 공백
ASML의 프랭크 헴스케르크 공공정책 수석부사장은 네덜란드 방송 De Balie 프로그램에서 2026년 상반기 유럽 매출 비중이 0%라고 밝혔다. 이는 2025년 1%, 2024년 5%, 2023년 4%, 2022년 2%에서 계속 낮아진 수치다. 그는 유럽에 신규 반도체 팹 투자가 이뤄지지 않고 있어 우려스럽다며, 공급 측 투자 유치뿐 아니라 유럽산 반도체에 대한 수요를 조직적으로 만들어야 한다고 말했다. 그는 이 문제를 두고 유럽연합 집행위원장 우르줄라 폰데어라이엔 등과 논의 중이라고 밝혔다. 기사는 인텔 아일랜드 팹, ESMC·인피니언·글로벌파운드리의 드레스덴 팹 등 유럽 내 여러 팹 프로젝트가 진행 중이지만 모두 EUV를 쓰지 않는 성숙 공정용이라는 점도 함께 전했다.
ASML, 머스크의 FEL 대신 1000W LPP 광원 강화
ASML은 EUV 노광 광원으로 액체 주석 방울에 레이저를 쏴 플라즈마를 만드는 LPP(레이저생성플라즈마) 방식을 쓰고 있으며, 입자가속기 기반의 자유전자레이저(FEL) 방식은 채택할 계획이 없는 것으로 알려졌다. JP모건 노트를 인용한 Semi Doped 보도에 따르면 ASML은 레이저 기술 발전을 근거로 일론 머스크가 지지하는 FEL 방식을 시도할 이유가 없다고 본다. ASML은 LPP 광원 출력을 기존 약 250W에서 약 500W로 높였고, 향후 1000W까지 끌어올리는 한편 초당 생성하는 주석 방울 수도 약 10만 개로 늘릴 계획이다. FEL은 주석 방울과 그로 인한 이물질 문제를 없애고 이론적으로 더 높은 출력을 낼 수 있지만, 대형 입자가속기와 방사선 차폐, 복잡한 빔 분배 시스템이 필요해 반도체 양산 수준의 가동률과 비용 구조를 갖추기까지는 시간이 걸릴 것으로 전망된다.
ASML 코리아, 대한민국 일자리 으뜸기업 5년 연속 선정
국내 반도체 생태계ASML 코리아, 일자리 으뜸기업 5년 연속 선정
ASML의 한국 지사인 ASML 코리아가 고용노동부가 주관하는 '2026년 대한민국 일자리 으뜸기업'에 선정됐다. 2020년 첫 선정 이후 2022년부터 2026년까지 5년 연속 선정된 것으로, 이 제도에서 5년 연속 선정된 기업은 ASML 코리아가 유일하다. 이 제도는 고용 확대 및 근로 환경 개선에 기여한 민간 기업 100곳을 매년 선정해 대통령 인증패를 수여한다. ASML 코리아는 양질의 일자리 창출, 근무 환경 개선, 지역사회와의 협력 등을 선정 배경으로 꼽았다.
장비·소재·부품ASML, 하이-NA 마스크 대형화에 3사 협력 — 전환 수년 전망
ASML과 인텔, 삼성전자, TSMC가 하이-NA EUV 노광 장비용 6×12인치 포토마스크 전환을 위해 협력한다고 ASML이 보도자료를 통해 밝혔다. 하이-NA EUV는 0.55 수치개구로 8nm 단일노광 해상도를 구현해 0.33-NA EUV의 13nm보다 우수하지만, 애너모픽 광학계로 인해 기존 6×6인치 마스크로는 절반 면적만 노광할 수 있어 큰 다이는 두 번 노광해 이어붙이는 스티칭이 필요하다. 스티칭은 웨이퍼 처리량을 EXE:5200B 기준 시간당 최대 175장에서 약 125장으로 낮추고 설계 제약과 정렬 오차에 따른 수율 저하 위험을 동반한다. 6×12인치 마스크는 이런 스티칭 없이 기존 26×33mm 전체 노광 영역을 복원할 수 있지만, 마스크 제조·취급 인프라 전반의 개편이 필요해 전환에는 수년이 걸릴 것으로 전망된다.
삼성전자, 하이-NA EUV로 D램 공정 전환 — ASML과 2028년 도입
삼성전자가 8일 ASML과 협력해 업계 최초로 2028년까지 하이-NA(고개구율) 극자외선 노광 장비를 첨단 D램 제조 시설에 도입한다고 밝혔다. 양사는 300mm 대형 포토 마스크도 공동 개발한다. 삼성전자는 이번 협력이 첨단 AI 반도체 제조에 필요한 차세대 기술 개발과 도입 일정을 앞당길 것이라고 설명했다. 또한 하이-NA EUV 기술이 파운드리 공정에 이어 첨단 메모리 분야에도 본격 적용될 준비가 됐다고 덧붙였다.
ASML·TSMC, 12인치 포토마스크 전환 협력 — EUV 팹 생산성 개선 추진
ASML과 TSMC가 EUV 리소그래피용 12인치 포토마스크로의 전환을 이끌기 위한 협업 체계를 구축했다고 밝혔다. 인텔 파운드리와 삼성전자도 이 이니셔티브를 지지한다고 밝혔다. 목표는 2031년까지 12인치 마스크 파일럿 라인을 구축하고 2033년까지 첨단 노드 양산용 리소그래피 장비를 준비하는 것이다. ASML은 하이-NA EUV가 초기에는 기존 6인치 마스크로 양산에 투입되지만, 12인치 마스크로 전환하면 팹 생산성을 높이고 비용을 낮추며 스티칭 제약을 없앨 수 있다고 설명했다. 삼성전자는 2028년까지 하이-NA EUV를 D램 양산에 처음 도입할 계획이라고 밝혔다.
