삼성전자, 하이-NA EUV로 D램 공정 전환 — ASML과 2028년 도입

삼성전자가 8일 ASML과 협력해 업계 최초로 2028년까지 하이-NA(고개구율) 극자외선 노광 장비를 첨단 D램 제조 시설에 도입한다고 밝혔다. 양사는 300mm 대형 포토 마스크도 공동 개발한다. 삼성전자는 이번 협력이 첨단 AI 반도체 제조에 필요한 차세대 기술 개발과 도입 일정을 앞당길 것이라고 설명했다. 또한 하이-NA EUV 기술이 파운드리 공정에 이어 첨단 메모리 분야에도 본격 적용될 준비가 됐다고 덧붙였다.
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