ASML, 하이-NA 마스크 대형화에 3사 협력 — 전환 수년 전망

ASML과 인텔, 삼성전자, TSMC가 하이-NA EUV 노광 장비용 6×12인치 포토마스크 전환을 위해 협력한다고 ASML이 보도자료를 통해 밝혔다. 하이-NA EUV는 0.55 수치개구로 8nm 단일노광 해상도를 구현해 0.33-NA EUV의 13nm보다 우수하지만, 애너모픽 광학계로 인해 기존 6×6인치 마스크로는 절반 면적만 노광할 수 있어 큰 다이는 두 번 노광해 이어붙이는 스티칭이 필요하다. 스티칭은 웨이퍼 처리량을 EXE:5200B 기준 시간당 최대 175장에서 약 125장으로 낮추고 설계 제약과 정렬 오차에 따른 수율 저하 위험을 동반한다. 6×12인치 마스크는 이런 스티칭 없이 기존 26×33mm 전체 노광 영역을 복원할 수 있지만, 마스크 제조·취급 인프라 전반의 개편이 필요해 전환에는 수년이 걸릴 것으로 전망된다.

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