마이크론 1ε D램, 웨이퍼본딩 첫 적용 — EUV는 이후 세대로

마이크론이 4F2 셀 설계를 로드맵에서 제외하고, D램 미세화를 위한 새로운 방식을 도입한다고 밝혔다. 현재 양산 중인 1감마(1γ) 이후 2027년 하반기 양산 예정인 1델타(1δ)에 이어, 1엡실론(1ε) 공정부터 웨이퍼 본딩을 적용하고, 이후 세대인 제타옹스트롬(ζÅ)에는 하이-NA EUV 노광을, 에타옹스트롬(ηÅ)에는 신소재를 도입할 계획이다. 회사는 뉴욕 알바니 나노테크와 협력해 향후 5~10년간 쓰일 하이-NA EUV 기반 D램 공정을 개발 중이며, 3D D램(3D1, 3D2)도 로드맵에 올려두고 비용·성능 면에서 유리한 시점에 도입하기로 했다. 아울러 프로세서 위에 직접 적층하는 수직형 HBM(vHBM)과 수직형 엣지 추론 메모리(vEIM) 등 신규 메모리도 함께 개발하고 있다.

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