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메모리(DRAM·NAND·HBM)

삼성·SK하이닉스, HBM4 8단 양산 돌입 — 엔비디아 루빈 울트라 공급

ZDNet Korea2026-10-261분 읽기

분야 자료 사진 — 칩이 배열된 웨이퍼 · Eclipse · CC BY-SA 3.0 (기사 원문의 사진이 아닙니다)

삼성전자와 SK하이닉스가 내년 2분기부터 엔비디아에 HBM4 8단 제품을 양산 출하할 계획인 것으로 알려졌다. 두 회사는 현재 HBM4 12단을 주력으로 양산하고 있으며, 당초 엔비디아향 HBM4 8단 공급 계획은 없었으나 올해 3분기부터 논의가 본격화됐다. 엔비디아는 차세대 AI 가속기 '루빈 울트라'에 HBM4E 12단 대신 HBM4 8단과 HBM4E 8단을 병행 탑재하는 방안을 검토 중인데, 이는 12단 적층 구조의 발열과 수율 문제에 따른 것으로 풀이된다. 삼성전자와 SK하이닉스는 8단 제품의 부품·소재 수급과 품질 테스트를 준비하고 있으며, 엔비디아와 별도의 인증 절차를 거쳐야 한다.

이 글에 나온 것

엔비디아 SK하이닉스 삼성전자 #HBM4 #삼성전자 #SK하이닉스 #엔비디아 #루빈울트라

이 글은 원문을 요약한 큐레이션입니다. 제목은 요약에 맞춰 새로 붙였습니다. 수치와 단위는 원문 표기를 유지했습니다. 전체 내용은 원 매체에서 읽어 주세요.원문: ZDNet Korea 「삼성·SK, 내년 2월 HBM4 8단 양산 출하...엔비디아향 공급」

ZDNet Korea 원문 보기 ↗

메모리(DRAM·NAND·HBM) 소식 더 보기

마이크론 1ε D램, 웨이퍼본딩 첫 적용 — EUV는 이후 세대로

마이크론이 4F2 셀 설계를 로드맵에서 제외하고, D램 미세화를 위한 새로운 방식을 도입한다고 밝혔다. 현재 양산 중인 1감마(1γ) 이후 2027년 하반기 양산 예정인 1델타(1δ)에 이어, 1엡실론(1ε) 공정부터 웨이퍼 본딩을 적용하고, 이후 세대인 제타옹스트롬(ζÅ)에는 하이-NA EUV 노광을, 에타옹스트롬(ηÅ)에는 신소재를 도입할 계획이다. 회사는 뉴욕 알바니 나노테크와 협력해 향후 5~10년간 쓰일 하이-NA EUV 기반 D램 공정을 개발 중이며, 3D D램(3D1, 3D2)도 로드맵에 올려두고 비용·성능 면에서 유리한 시점에 도입하기로 했다. 아울러 프로세서 위에 직접 적층하는 수직형 HBM(vHBM)과 수직형 엣지 추론 메모리(vEIM) 등 신규 메모리도 함께 개발하고 있다.

Tom's Hardware2026-10-26

마이크론 타이완 노조 파업, HBM 생산기지서 이익공유 요구

마이크론 대만 타오위안 공장 노조가 10월 22일 24시간 경고 파업을 벌였다. 노조는 타오위안 공장 직원의 약 70%인 2,335명을 대표하며, 2027 회계연도부터 분기 영업이익의 15%를 상여금 재원으로 보장하는 이익 공유 제도를 요구하고 있다. 마이크론이 9월 발표한 일회성 보상안을 노조는 장기 기준이 없다며 거부했다. 같은 날 타이중 공장 노조와는 단체협약을 체결해 이익 연동 분기 상여금 지급에 합의했으나, 타오위안 공장 협상은 구체적 비율을 정하지 못하고 결렬됐다. 대만 공장은 마이크론 전 세계 생산 능력의 60% 이상을 차지하며 AI 서버용 HBM도 생산한다.

ZDNet Korea2026-10-26

마이크론 차세대 G11 낸드, 웨이퍼 본딩으로 400단 돌파

마이크론이 2027년 하반기 양산을 목표로 차세대 3D 낸드 G11을 개발 중이라고 밝혔다. G11은 기존 G9 세대 대비 비트 밀도를 두 배로 높이고 입출력 성능을 최대 50% 향상시키며 전력 소비를 줄이는 것이 목표다. 이를 위해 YMTC가 앞서 적용한 웨이퍼-온-웨이퍼 본딩 기술을 도입해 메모리 셀 어레이와 주변 로직을 별도 공정으로 제작한 뒤 결합하는 방식을 택했다. 또한 활성 워드라인 수는 공개하지 않았지만 400단 이상의 적층과 업계 최고 수준의 셀 피치를 적용할 계획이다. 마이크론은 G11 이후에도 신소재와 고밀도 셀 구조 개발을 통해 적층 수 증가와 셀 치수 축소를 병행하는 방향으로 낸드 스케일링을 이어갈 것이라고 설명했다.

Tom's Hardware2026-10-23

딥시크 V4.1 플래시 개정, 토큰 효율 높이고 환각 위험 여전

딥시크가 오픈 웨이트 모델 V4.1 플래시의 개정판인 1017을 공개했다. 이 모델은 전체 552B, 활성 16B 파라미터를 가진 MoE 구조로 텍스트와 이미지를 함께 처리하며 100만 토큰 컨텍스트를 지원한다. 개정판은 토큰당 KV 캐시 저장에 필요한 HBM 용량과 SSD 저장 용량을 이전 버전보다 크게 줄여 하드웨어 요구치를 낮췄다고 회사 측은 밝혔다. 다만 Artificial Analysis의 옴니션스 벤치마크에서는 답을 모를 때도 추측성 답변을 내놓는 환각 비율이 높게 측정돼, 신뢰도 면에서는 프런티어 모델에 못 미친다는 평가가 나왔다.

Tom's Hardware2026-10-23

솔리다임, SK하이닉스 상장 검토 철회 — 반도체 투자심리 위축 영향

SK하이닉스는 23일 손자회사 솔리다임의 상장전 자금조달(프리 IPO) 및 기업공개(IPO) 검토를 중단한다고 밝혔다. 회사는 자본시장 여건과 주가흐름을 고려할 때 IPO가 회사와 기존 주주들에게 가장 유리한 선택인지 재검토할 필요가 있다고 판단했다고 설명했다. 이는 솔리다임 상장을 검토 중이라고 밝힌 지 약 두 달 만의 결정이다. 중국 CXMT의 추격과 AI 투자 위축론 등으로 SK하이닉스를 비롯한 반도체 주식에 대한 투자 심리가 위축된 점이 철회 배경으로 꼽혔다.

디일렉 반도체2026-10-23

SK하이닉스, 솔리다임 IPO 검토 중단 — 미국 생산시설 투자 방식 재검토

SK하이닉스는 자회사 솔리다임의 기업공개(IPO) 검토를 중단한다고 밝혔다. 회사는 솔리다임의 성장 가능성과 투자 필요성은 여전하지만, 자본시장 여건과 주가흐름을 고려할 때 현재 IPO가 SK하이닉스와 기존 주주들에게 가장 유리한 선택인지 재검토할 필요가 있다고 판단했다고 설명했다. SK하이닉스는 AI 시대 메모리 수요 증가를 솔리다임의 성장 기회로 보고, 미국 내 신규 생산시설 확보를 위한 재원 조달 방안으로 직접투자와 IPO 등을 비교 검토해왔다.

KIPOST2026-10-22

솔리다임, 美 상장 철회 — SK하이닉스 낸드 자금조달 전략 수정

SK하이닉스는 23일 공시를 통해 미국 낸드 손자회사 솔리다임의 프리IPO 및 기업공개(IPO) 검토를 중단한다고 밝혔다. 솔리다임은 생산능력 확대와 경쟁력 강화를 위한 자금조달 방안을 다각도로 검토해왔으나, 자본시장 여건 등을 종합적으로 고려해 상장 추진을 멈추기로 했다고 설명했다. 솔리다임은 SK하이닉스가 2020~2021년 인텔의 낸드플래시·SSD 사업을 약 90억달러에 인수하며 출범한 자회사다.

전자신문2026-10-22

Goodram 폴란드 공장, DRAM·SSD 번인테스트로 신뢰성 검증

폴란드 메모리 제조사 Goodram이 자사 폴란드 공장에서 시행하는 DRAM과 SSD 품질 검증 절차를 공개했다. 해당 공장은 섭씨 80도에서 진행하는 번인(burn-in) 테스트를 포함해 400개가 넘는 진단 플랫폼을 운용하고 있다. 여기에 고도화된 환경 검증 절차까지 더해 제품 신뢰성을 확인하고 있다고 밝혔다.

EE Times2026-10-22