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파운드리·공정

중국 반도체, DUV 다중패턴으로 EUV 대체 — 비용·수율 부담

Tom's Hardware2026-10-231분 읽기영문 원문

분야 자료 사진 — 회로가 새겨진 300mm 실리콘 웨이퍼 · Peellden · CC BY-SA 3.0 (기사 원문의 사진이 아닙니다)

ASML EUV 장비 수출통제로 중국 반도체 업체들은 DUV 노광 장비에 다중 패터닝을 적용해 첨단 칩을 만들고 있다. Fractilia의 크리스 맥은 노광 횟수가 늘수록 결함과 오버레이 오차가 누적되고, 다이가 커져 웨이퍼당 수율이 떨어진다고 설명했다. SMIC는 DUV 기반으로 Kirin 9000S(7나노급)에서 Kirin 9030(5나노급에 근접)까지 밀도를 높였지만 TSMC·삼성의 최신 공정에는 미치지 못한다. 모건스탠리는 CXMT의 웨이퍼당 비트 생산량이 서구 경쟁사의 약 3분의 1 수준이라고 추정했다. 반면 마이크론은 DUV와 다중 패터닝만으로 1-알파 D램을 개발해 EUV 없이도 경쟁력 있는 메모리 제조가 가능함을 보여줬다.

이 글에 나온 것

마이크론 TSMC SMIC ASML #EUV #DUV #SMIC #CXMT #Micron

이 글은 원문을 요약한 큐레이션입니다. 제목은 요약에 맞춰 새로 붙였습니다. 수치와 단위는 원문 표기를 유지했습니다. 전체 내용은 원 매체에서 읽어 주세요.원문: Tom's Hardware 「China can make advanced chips without EUV, but the bill keeps growing」

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삼성전자 모뎀칩 2나노 전환, 4나노는 HBM 베이스다이로 재편

삼성전자 시스템LSI사업부가 외장형 5G 모뎀 M2800 시리즈의 제조 공정을 2나노로 결정했다. 기존 4나노로 생산하던 외장 모뎀 공정을 2나노로 전환하는 것이다. M2800은 2028년 출시될 갤럭시S28 시리즈에 탑재될 예정이며, 차세대 엑시노스 2800과 투칩 형태로 적용된다. 모뎀 공정이 2나노로 전환되면서 여유가 생기는 4나노 생산능력은 고대역폭메모리(HBM) 베이스다이 중심으로 재편되고 있다. 올해 4나노로 제조된 모뎀 M2700은 MX사업부의 테스트를 통과한 것으로 전해졌다.

디일렉 반도체2026-10-20

삼성 파운드리 8LPU+, DUV 8나노로 전장·로봇칩 공략

삼성전자 파운드리가 8나노 공정의 2세대 버전인 '8LPU+'를 연내 선보일 예정이다. 이 공정은 극자외선(EUV) 노광기 대신 심자외선(DUV) 노광기를 사용하는 성숙 공정 라인을 활용한다. 전 세대인 8LPU 대비 성능이 12% 향상됐다. 삼성전자는 2나노급 첨단 공정만큼 비용이 들지 않는 전장·로봇·엣지 AI 칩을 이 공정의 주요 타깃으로 삼고 있다.

전자신문2026-10-20

Fab24hr 게임 대만서 화제, 반도체 팹 노동 현실 재현

대만에서 개발된 3D 웹게임 'Fab24hr'가 반도체 팹 노동자의 하루를 다뤄 화제를 모으고 있다. 중국어·영어·일본어로 제공되며, 이용자는 블록 형태의 아이소메트릭 3D 공장에서 공정 엔지니어 등 여러 반도체 엔지니어 역할을 맡아 플레이한다. 대만 TVBS 보도에 따르면 이 게임은 설비 고장, 공정 이상, 생산 비상상황 등을 사실적으로 재현해 현직 팹 근로자들의 공감을 얻고 있으며, 일부는 '공포게임'이나 '감옥' 같다고 표현했다고 전했다. 게임은 12장으로 구성된 '칩의 일생' 스토리 모드와, 공장과 역할을 선택해 하루를 체험하는 '팹에서의 하루' 모드로 나뉜다.

Tom's Hardware2026-10-18

성숙공정 웨이퍼 가동률 치솟아, 내년 1분기 단가 인상 조짐

시장조사업체 시그마인텔은 4분기 전 세계 성숙 공정 파운드리 가동률이 91%에 이르고, 내년 1분기에도 웨이퍼 가격이 오를 것으로 전망했다. 성숙 공정은 12인치 웨이퍼의 28·40·90나노와 8인치 웨이퍼의 150·350나노를 포함한다. 시그마인텔은 가동률 상승과 에너지·소재 비용 증가로 가격 인상이 불가피하다고 설명했다. 28·40나노는 AI 연산 칩과 주변 칩 사이에 끼어 있어 가격 상승 유인이 작은 반면, 55나노 이상 공정은 AI 주변칩 수요 강세로 가격 상승이 이어지고 있다. 8인치 공정은 AI 관련 전력반도체 수요 급증으로 완전 가동이 이어지며 업계 전반이 상당 기간의 주문을 확보한 상태라고 시그마인텔은 밝혔다.

ZDNet Korea2026-10-18

IBS, 0.7nm급 모듈형 트랜지스터 개발 — 2차원 반도체 공정 혁신

IBS 조문호 반데르발스 양자 물질 연구단장 연구팀이 2차원 반도체를 구성하는 원자를 선택적으로 치환해 하나의 박막에 반도체·절연체·준금속 영역을 구현하는 0.7nm급 모듈형 트랜지스터 제작 기술을 개발했다. 연구진은 p형 반도체인 이셀레늄화텅스텐을 이용해 셀레늄 원자층만 선택적으로 바꾸는 방식으로 반도체·절연막·전극 접합층을 한 박막에 구현했다. 금속-반도체 접합의 에너지 장벽은 35.5meV로 낮아졌고, 스위칭 성능을 나타내는 게이트 전압 변화량은 61.3밀리볼트로 상온 이론적 최솟값에 근접했다. 온오프 전류 비율은 1000만 배 이상이며, 절연막의 등가산화막두께는 1나노미터 미만을 달성했다. 연구 결과는 16일 국제학술지 '사이언스'에 게재됐다.

ZDNet Korea2026-10-15

GAAFET 누설전류 경로 규명, 첨단 공정 신뢰성 과제로

미국 샌디아국립연구소와 룩셈부르크 과학기술연구소(LIST) 연구진이 GAAFET(Gate-All-Around FET)의 새로운 누설 경로를 규명한 기술 논문을 발표했다. GAAFET은 FinFET의 후속 구조로 첨단 공정 스케일링의 핵심으로 꼽히지만, 게이트 전압이 음의 방향으로 커질수록 드레인 전류가 열이온 방출 거동에서 벗어나 증가하는 현상이 측정에서 확인됐다. 연구진은 이 현상이 고유전율(high-k) 절연막을 통한 게이트-드레인 직접 터널링과 드레인 유도 유전체 장벽 저하(DIDBL)에 기인한다고 설명했다. 이를 규명하기 위해 Contact Block Reduction(CBR) 기법에 기반한 전하 자기일관적 비평형 그린함수(NEGF) 시뮬레이션을 사용해 누설 경로를 공간적으로 분석했다.

Semiconductor Engineering2026-10-14

갤럭시 DDI 공급망에 글로벌파운드리스 합류 검토

삼성전자가 OLED 갤럭시 스마트폰에 들어가는 디스플레이 구동칩(DDI) 위탁생산을 대만 UMC 단독 체제에서 글로벌파운드리스(GF)와 이원화하는 방안을 검토하고 있다. 업계 관계자에 따르면 이르면 내년 말부터 글로벌파운드리스가 생산한 DDI가 중저가 갤럭시A 시리즈 일부 모델에 탑재될 수 있으며, 공정은 22나노미터 또는 28나노미터가 검토되고 있다. 레거시 공정 반도체 수요가 공급을 웃돌면서 UMC의 생산 대응이 지연된 것이 배경으로 꼽힌다. 실제로 갤럭시Z폴드8용 DDI는 UMC의 22나노 공정 생산능력 한계로 급행 생산 요청이 받아들여지지 않아, 삼성전자는 부품 생산계획 물량을 조정한 바 있다.

ZDNet Korea2026-10-13

글로벌파운드리 FDX Fusion, FD-SOI 7나노급 공정으로 복귀

글로벌파운드리가 FD-SOI 기반의 7나노급 신공정 FDX Fusion을 공개했다. 이 공정은 2015년 선보인 22FDX 대비 트랜지스터 밀도를 2배 이상 높이고, 최대 0.5THz의 RF 트랜지스터와 아날로그·혼성신호 회로, 내장형 비휘발성 메모리, 인메모리 컴퓨팅 기능을 결합한다. 독일 드레스덴 공장에서 2028년 양산을 시작할 계획이며, 2027년 초 데모 실리콘 제공과 2027년 중반 PDK 출시를 예고했다. BMW, 보쉬, 인피니언, NXP, 지멘스, 테슬라가 관심을 표했으나, 레이더·무선통신용 7나노급 기술 협력을 구체적으로 확인한 곳은 인피니언뿐이라고 밝혔다.

Tom's Hardware2026-10-12