DB하이텍이 자동차 품질경영시스템 국제표준인 'IATF 16949' 인증을 갱신했다고 26일 밝혔다. 부천캠퍼스와 상우캠퍼스에서 진행된 갱신 심사를 통과했으며, 인증 범위는 고객사 반도체 제품을 위탁 생산하는 파운드리 제조 전 분야다. IATF 16949는 국제자동차산업전담기구(IATF)가 제정한 표준으로 자동차 부품 공급망 전반의 품질관리 체계 구축·유지를 요구한다. 자동차용 반도체는 주행 중 진동과 급격한 온도 변화 등 가혹한 환경에서 내구성과 안전성을 갖춰야 한다.
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독일 뮌헨공대(TU Munich)와 인도공과대학 칸푸르(IIT Kanpur) 연구팀이 멀티티어 CFET 설계의 자기발열(SHE)과 기생 효과를 분석한 논문을 발표했다. 연구팀은 나노시트 소자를 수직으로 쌓는 4단 CFET 구조와 기존 2단 CFET 구조를 실험 측정값에 맞춰 보정한 TCAD 모델로 비교했다. TCAD 시뮬레이션을 통해 자기발열로 인한 열 분포와 온도 프로파일을 분석하고, MOL·BEOL 인터커넥트를 포함한 3차원 CMOS 인버터 모델에서 기생 RC 네트워크를 추출했다. 이 연구는 IEEE Journal on Exploratory Solid-State Computational Devices and Circuits에 게재됐다.
Tom's Hardware의 주간 프리미엄 요약에 중국 첨단칩 제조 현황이 소개됐다. 전문가들은 중국이 EUV 노광장비 없이 기존 DUV 장비의 다중패턴 공정으로 첨단칩 제조를 이어가고 있지만, 다이 크기 증가·수율 저하·공정 시간 증가라는 비용이 커지고 있다고 분석했다. 같은 주간 요약에는 SSD 컨트롤러 업체 FADU가 발표한 File-Semantic SSD(FS-SSD) 백서도 포함됐는데, 파일시스템을 SSD 플래시에 직접 올려 호스트 CPU를 거치지 않고 GPU·DPU·NIC가 파일을 직접 열고 읽도록 하는 기술이다. FADU는 PCIe 6.0(Gen6) 컨트롤러 기반이며 파트너 샘플을 2027년 3분기까지 출하할 계획이라고 밝혔다. 요약에는 딥시크 신규 AI 모델이 이전보다 적은 HBM과 SSD 저장용량을 사용한다는 내용도 함께 다뤄졌다.
ASML EUV 장비 수출통제로 중국 반도체 업체들은 DUV 노광 장비에 다중 패터닝을 적용해 첨단 칩을 만들고 있다. Fractilia의 크리스 맥은 노광 횟수가 늘수록 결함과 오버레이 오차가 누적되고, 다이가 커져 웨이퍼당 수율이 떨어진다고 설명했다. SMIC는 DUV 기반으로 Kirin 9000S(7나노급)에서 Kirin 9030(5나노급에 근접)까지 밀도를 높였지만 TSMC·삼성의 최신 공정에는 미치지 못한다. 모건스탠리는 CXMT의 웨이퍼당 비트 생산량이 서구 경쟁사의 약 3분의 1 수준이라고 추정했다. 반면 마이크론은 DUV와 다중 패터닝만으로 1-알파 D램을 개발해 EUV 없이도 경쟁력 있는 메모리 제조가 가능함을 보여줬다.
삼성전자 시스템LSI사업부가 외장형 5G 모뎀 M2800 시리즈의 제조 공정을 2나노로 결정했다. 기존 4나노로 생산하던 외장 모뎀 공정을 2나노로 전환하는 것이다. M2800은 2028년 출시될 갤럭시S28 시리즈에 탑재될 예정이며, 차세대 엑시노스 2800과 투칩 형태로 적용된다. 모뎀 공정이 2나노로 전환되면서 여유가 생기는 4나노 생산능력은 고대역폭메모리(HBM) 베이스다이 중심으로 재편되고 있다. 올해 4나노로 제조된 모뎀 M2700은 MX사업부의 테스트를 통과한 것으로 전해졌다.
삼성전자 파운드리가 8나노 공정의 2세대 버전인 '8LPU+'를 연내 선보일 예정이다. 이 공정은 극자외선(EUV) 노광기 대신 심자외선(DUV) 노광기를 사용하는 성숙 공정 라인을 활용한다. 전 세대인 8LPU 대비 성능이 12% 향상됐다. 삼성전자는 2나노급 첨단 공정만큼 비용이 들지 않는 전장·로봇·엣지 AI 칩을 이 공정의 주요 타깃으로 삼고 있다.
대만에서 개발된 3D 웹게임 'Fab24hr'가 반도체 팹 노동자의 하루를 다뤄 화제를 모으고 있다. 중국어·영어·일본어로 제공되며, 이용자는 블록 형태의 아이소메트릭 3D 공장에서 공정 엔지니어 등 여러 반도체 엔지니어 역할을 맡아 플레이한다. 대만 TVBS 보도에 따르면 이 게임은 설비 고장, 공정 이상, 생산 비상상황 등을 사실적으로 재현해 현직 팹 근로자들의 공감을 얻고 있으며, 일부는 '공포게임'이나 '감옥' 같다고 표현했다고 전했다. 게임은 12장으로 구성된 '칩의 일생' 스토리 모드와, 공장과 역할을 선택해 하루를 체험하는 '팹에서의 하루' 모드로 나뉜다.
시장조사업체 시그마인텔은 4분기 전 세계 성숙 공정 파운드리 가동률이 91%에 이르고, 내년 1분기에도 웨이퍼 가격이 오를 것으로 전망했다. 성숙 공정은 12인치 웨이퍼의 28·40·90나노와 8인치 웨이퍼의 150·350나노를 포함한다. 시그마인텔은 가동률 상승과 에너지·소재 비용 증가로 가격 인상이 불가피하다고 설명했다. 28·40나노는 AI 연산 칩과 주변 칩 사이에 끼어 있어 가격 상승 유인이 작은 반면, 55나노 이상 공정은 AI 주변칩 수요 강세로 가격 상승이 이어지고 있다. 8인치 공정은 AI 관련 전력반도체 수요 급증으로 완전 가동이 이어지며 업계 전반이 상당 기간의 주문을 확보한 상태라고 시그마인텔은 밝혔다.
IBS 조문호 반데르발스 양자 물질 연구단장 연구팀이 2차원 반도체를 구성하는 원자를 선택적으로 치환해 하나의 박막에 반도체·절연체·준금속 영역을 구현하는 0.7nm급 모듈형 트랜지스터 제작 기술을 개발했다. 연구진은 p형 반도체인 이셀레늄화텅스텐을 이용해 셀레늄 원자층만 선택적으로 바꾸는 방식으로 반도체·절연막·전극 접합층을 한 박막에 구현했다. 금속-반도체 접합의 에너지 장벽은 35.5meV로 낮아졌고, 스위칭 성능을 나타내는 게이트 전압 변화량은 61.3밀리볼트로 상온 이론적 최솟값에 근접했다. 온오프 전류 비율은 1000만 배 이상이며, 절연막의 등가산화막두께는 1나노미터 미만을 달성했다. 연구 결과는 16일 국제학술지 '사이언스'에 게재됐다.